一种9～26 GHz宽带MMIC低噪声放大器的设计与实现

摘要：

基于0.15 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺实现了一款工作频率覆盖9～26GHz的宽带低噪声放大器.该放大器采用三级共源放大电路级联结构,前两级放大器采用电流复用来降低电路功耗,并提供一个较高的增益,并在后两级引入并联负反馈结构来扩展带宽、改善增益平坦度.测试结果表明,在9～26GHz的宽频带范围内,芯片为单电源+5V供电,静态电流为55 mA,噪声系数不大于2.5 dB,小信号增益大于18 dB并具有一定的正斜率,输出功率1dB压缩点高于13dBm,尺寸为1.75mm×1.05mm,具有宽频带、低噪声、低功耗、面积小等性能优势.

关键词：低噪声放大器、电流复用、宽带、负反馈

所属期刊栏目：23

分类号：TN722.3(基本电子电路)

在线出版日期：2023-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：66-70