交叉光栅光子晶体以其多次曝光的制造工艺

摘要：

通过先后或同时进行两次干涉曝光来制造交叉光栅光子晶体的方法。该方法用光刻法形成一个在原位的掩蔽元件，用光掩模(46)让置于不透明膜(42)上面的光致刻蚀剂(44)曝光，并将带图案的光致刻蚀剂(52)用作掩模，腐蚀掉金属层，在衬底(40)上形成带图形的金属膜(56)，由此形成带图案的交叉光栅光子晶体。然后，对带图案的金属膜涂以第二光致刻蚀剂(58)，通过衬底(40)的背面对两个同时投射的干涉图案(60)对其曝光，然后显影生成图5I所示的图案。所得的制品可以用作波导、耦合器、分束器和波分复用器。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN99814054.6

申请日期：1999-06-02

公开/公告号：CN1329727

公开/公告日：2002-01-02

主分类号：G03F7/22

申请/专利权人:康宁股份有限公司

发明/设计人:J·－C·科特伏特;B·达赫马尼;C·伦瓦泽

主申请人地址:美国纽约州

专利代理机构:上海专利商标事务所

代理人:钱慰民

国别省市代码:美国;US

权利要求：

权利要求书1.一种制造光子晶体的方法，该方法先在衬底的一个基本上平坦的表面上涂以光致刻蚀剂厚层，该光致刻蚀层对于一选定的波长带来说一般是透明的，并且具有一介电常数，一曝光阈值，以及一个平行于衬底平坦表面的顶表面，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a)将具有平行条纹的第一干涉图案投射在光致刻蚀剂顶面上一段预定的时间，所述平等条纹位于光致刻蚀剂顶面的平面内，所述条纹具有预选的强度、宽度和间隔，预选时间和条纹强度经选择，可以提供小于光致刻蚀剂曝光阈值的曝光量，所述干涉图案是由一个激光干涉仪产生的，所述激光具有一个光致刻蚀剂至少呈部分透明的波长；b)至少将具有平行条纹的第二干涉图案投射到光致刻蚀剂的顶面上一段预定的时间，所述条纹具有预选的强度、宽度和间距，所述预选时间和条纹强度经选择，可以提供小于光致刻蚀剂曝光阈值的曝光量，其中所述干涉图案是由一个激光干涉仪产生的，所述激光具有一个光致刻蚀剂至少呈部分透明的波长，在光致刻蚀剂的至少部分表面上，第一干涉图案的条纹与至少第二干涉图案的条纹相交，在相交条纹之间形成一预选夹角，并且由第一和至少第二干涉条纹图案提供的曝光量的和大于光致刻蚀剂的曝光阈值；c)对光致刻蚀剂显影，除去光致刻蚀剂上所受曝光量超过阈值的那些部分，在第一和第二干涉图案相交的表面部分上，形成一个光致刻蚀剂材料对称突起的周期性阵列。