半导体放大器电路与系统

摘要：

本发明的目的为提供具有其中在至少特定频带中改进了输出电导的负特征的共射－共基放大器的半导体放大器电路。半导体放大器1包含具有级联的晶体管101与晶体管102的共射－共基放大器500、及用于至少在特定的频带中改进该共射－共基放大器500的输出电导G_OUT的负特征的改进装置。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN99808277.5

申请日期：1999-07-06

公开/公告号：CN1308788

公开/公告日：2001-08-15

主分类号：H03F1/22

申请/专利权人:松下电器产业株式会社

发明/设计人:林锭二;木村博

主申请人地址:日本大阪

专利代理机构:永新专利商标代理有限公司

代理人:蹇炜

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

权利要求书1．一种半导体放大器电路，包括：具有级联的第一晶体管与第二晶体管的共射一共基放大器；以及用于至少在特定频带中改进该共射一共基放大器的输出电导的负特征的改进装置。