半导体集成电路器件、其上存储了单元信息库的存储媒质、以及半导体集成电路的设计方法

摘要：

一种半导体集成电路器件包含MOSFET。运行速度与MOSFET的漏电流引起的功耗被适当地协调。沿半导体集成电路器件中的信号路径中的具有经由此路径传播的信号的延迟裕度的信号路径，提供了具有高的阈值电压的MOSFET，而沿不具有经由此路径传播的信号的延迟裕度的信号路径，提供了具有低的阈值电压、大的漏电流和高的运行速度的MOSFET。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN98812671.0

申请日期：1998-12-16

公开/公告号：CN1294783

公开/公告日：2001-05-09

主分类号：H03K19/094

申请/专利权人:株式会社日立制作所

发明/设计人:加藤直树;矢野和男;秋田庸平;平木充

主申请人地址:日本东京

专利代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人:王永刚

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

权利要求书1．一种半导体集成电路器件，它具有由制作在半导体衬底上的开关元件构成的逻辑门，由至少一个输入信号上的逻辑门执行给定的过程并输出至少一个信号，此开关元件由至少二种开关元件组成，第一种各具有低的阈值电压，而第二种各具有高的阈值电压，其中提供有多个信号从其中传输的路径，其中构成第一路径上的逻辑门的各个开关元件具有不同于构成第二路径上的逻辑门的各个开关元件的阈值电压。