互补金属氧化物半导体集成电路

摘要：

一种ＣＭＯＳ结构的超大规模集成电路，可不受配线电容、门输入电容的影响而高速工作。把电流输出型门用作发送侧门１１，且只在信号的跃迁期间使电容器５４充放电，其电流经电流密勒电路５５、５６放大后流过导通电路１５。接收侧门３１是低输入阻抗电流输入型门。该门３１的结构为：将ＣＭＯＳ反相器３５的输入输出端短路连接，其两个电源连接端分别通过p沟道ＭＯＳＦＥＴ电流密勒电路３７、３９和n沟道ＭＯＳＦＥＴ电流密勒电路３８、４１而连接在正和负的电源端子１６及１７上，两个电流密勒电路的输出侧连接在导电通路１５上。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN98800117.9

申请日期：1998-02-26

公开/公告号：CN1216177

公开/公告日：1999-05-05

主分类号：H03K19/0185

申请/专利权人:株式会社爱德万测试

发明/设计人:冈安俊幸

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:柳沈知识产权律师事务所

代理人:马莹

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1．一种CMOS集成电路，所述集成电路由CMOS构成，其特征在于，作为所述集成电路的信号传送通路的接收侧门，使用了输入阻抗很低、且产生同输入电流的大小相对应的输出电压的电流输入型门。