一种可补偿由环境温度变化所引起的失真的半导体电路

摘要：

一种半导体电路，其包括一放大电路并补偿由于环境温度变化引起的失真。如果放大电路为具有接地源极的场效应晶体管放大电路，则将补偿电路连在接地点与ＦＥＴ的源极之间用以补偿由于环境温度引起的从ＦＥＴ输出的信号的失真。将失真最小的温度作为标准温度，在温度下的漏电流为最小从而在环境温度偏离标准温度时漏电流上升，从而抑制了在环境温度变化时失真的增大。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN98125135.8

申请日期：1998-11-26

公开/公告号：CN1219024

公开/公告日：1999-06-09

主分类号：H03F1/30

申请/专利权人:日本电气株式会社

发明/设计人:角田雄二; 深泽善亮; 田口雄一

主申请人地址:日本国东京都

专利代理机构:中科专利代理有限责任公司

代理人:姜丽楼

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

1、一种半导体电路，其特征在于包含：一放大电路，用于放大交流信号并输出放大的信号，及一补偿电路，用于在环境温度变化的情况下补偿被放大信号的失真。