低功率输入缓冲器

摘要：

一种低功率ＴＴＬ－至－ＣＭＯＳ输入缓冲器，用于缓冲晶体管－晶体管逻辑（ＴＴＬ）电子信号至互补型金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）电子信号。本发明至少包含电压下移电路，用于根据ＴＴＬ信号来产生和ＴＴＬ信号反相的第一输出信号。基准上移电路根据ＴＴＬ信号及第一输出信号来产生和ＴＴＬ信号的逻辑状态相同且符合ＣＭＯＳ电压基准的第二输出信号。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN98106227.X

申请日期：1998-04-07

公开/公告号：CN1231547

公开/公告日：1999-10-13

主分类号：H03K19/08

申请/专利权人:世界先进积体电路股份有限公司

发明/设计人:刘汉城; 卢裕阶; 胡耀达

主申请人地址:台湾省新竹科学工业园区

专利代理机构:柳沈知识产权律师事务所

代理人:马莹

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

1．一种缓冲装置，用于缓冲一晶体管－晶体管逻辑（TTL）电子信号至一互补型金属氧化物半导体（CMOS）电子信号，该装置至少包含：电压下移装置，用于根据所述TTL信号来产生一与所述TTL信号反相的第一输出信号；及基准上移装置，用于根据所述TTL信号及所述第一输出信号来产生一与所述TTh信号的逻辑状态相同且符合CMOS电压基准的第二输出信号。