包括有可变透光率的遮光层的掩模

摘要：

在包括形成于透明基片上的遮光层（１０２’，２０２’，２０２”）的掩模中，遮光层的透光率随遮光层的图形密度或半导体衬底（２０３）上的光刻胶层（２０４）的厚度改变。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN98101003.2

申请日期：1998-03-10

公开/公告号：CN1193127

公开/公告日：1998-09-16

主分类号：G03F1/00

申请/专利权人:日本电气株式会社

发明/设计人:桥本修一; 藤本匡志

主申请人地址:日本东京

专利代理机构:中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人:穆德骏

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种掩模，包括：透明基片（１０１）；及形成于所说透明基片上的遮光层（１０２’），所说遮光层的透光率随所说遮光层的图形密度改变。