用于超极化稀有气体生产的涂层

摘要：

本发明涉及一种用聚合物涂敷的表面抑制超极化的稀有气体最优选为^１２９Ｘｅ的表面诱导核自旋衰减和表面捕集的方法，本方法包括抑制稀有气体同涂敷于装置表面上与稀有气体相接触的聚合物涂层之间的反应量。优选的方法包括用具有非零核自旋的取代物来替代聚合物中至少某些质子和／或减低聚合物渗透性来抑制稀有气体的核自旋衰减。一种优选的非零自旋的取代物是氘。一种减低渗透性的优选改性措施包括将如卤素最优选的是氟引入聚合物中。本方法还提供其表面已用能抑制稀有气体捕集和核自旋衰减的聚合物涂敷过的容器。而且，本发明提供了用于增强超极化稀有气的生产和贮存的方法，是通过减少核自旋的衰减和限制稀有气体在盛装它的装置的聚合物涂层中的捕集。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN96195880.4

申请日期：1996-06-07

公开/公告号：CN1192128

公开/公告日：1998-09-02

主分类号：A47G19/22

申请/专利权人:普林斯顿大学托管委员会

发明/设计人:B·德里海斯; W·哈珀; 小G·D·凯茨

主申请人地址:美国新泽西州邮箱36号

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人:魏金玺% 杨九昌

国别省市代码:美国;US

权利要求：

一种抑制超极化稀有气体核自旋衰减的方法，它包括抑制超极化稀有气体与表面的去极化反应。