一种半导体电路中的方法和装置
本发明涉及在一个末级(10)(例如一个推挽末级)中的一个晶体管(Q1)的激励和去激励。把该末级包括在一个连接到一个负载的电压交变驱动系统内。把该驱动系统中的一个电流驱动缓冲电路(24)连接到该晶体管(Q1),该缓冲电路的功能是激励和去激励该晶体管,即,接通和断开该晶体管,该缓冲电路的工作方式是即使在该负载是电感性的情况下也只在该晶体管中产生一个低的功率损耗。该电流驱动缓冲电路(24)包括一个第一变换电路(Q3、Q4),一个第二变换电路(Q5、Q6)一个电流产生电路(Q7、Q8)和一个半导体元件(Q9)。该变换电路与该电流产生电路(Q7、Q8)共同作用来断开该晶体管(Q1),其中该电流产生电路产生一个去激励电流(I<sub>DIS</sub>),该电流对晶体管(Q1)中的电容(C<sub>GSQ1</sub>、C<sub>GDQ1</sub>)非常迅速地充电,以致晶体管(Q1)的一个输入端上的电压(OUTLSB)将增加到一个去激励电平(VCCH)。该变换电路与该半导体元件(Q9)共同作用来激励或接通晶体管(Q1),其中该半导体元件产生一个激励电流(I<sub>CON</sub>),该电流对晶体管(Q1)中的电容(C<sub>GSQ1</sub>、C<sub>GDQ1</sub>)充电,以致晶体管(Q1)的一个输入端上的电压(OUTLSB)下降到一个激励电平(VREG)。
发明专利
CN95190078.1
1995-02-09
CN1123071
1996-05-22
H03K17/08
艾利森电话股份有限公司
Ｌ·杨森; Ｍ·Ｌ·卡尔森; Ｍ·Ｏ·施文森
瑞典斯德哥尔摩
中国专利代理(香港)有限公司
傅康% 马铁良
瑞典;SE
一种涉及一种电压交变驱动电路结构的方法，该电路结构包括一个控制电路和一个至少具有一个晶体管（Ｑ１）的末级，该电路结构籍助于该控制电路交替地接通和断开该晶体管（Ｑ１），其中该末级具有一个连接到一个电感性负载（１２）的输出端（１６），其中该方法包括下述步骤：－接通该晶体管（Ｑ１），此时将该末级的输出端（１６）连接到一个高的电源电压（ＶＣＣＨ）和该晶体管（Ｑ１）传导一个流过该电感性负载（１２）的负载电流（Ｉ↓［Ｌ］）；－断开该晶体管（Ｑ１），此时将该末级的输出端（１６）连接到一个低的电源电压（地）；该方法的特征在于还包括下述步骤：－通过在该控制电路中的一个控制信号的一个第一状态转换（Ａ）来开始该晶体管（Ｑ１）的去激励；－在该控制电路内的一个电流产生电路（Ｑ７、Ｑ８）中产生一个主要的去激励电流（Ｉ↓［Ｑ７、Ｑ８］，该主要的去激励电流对应于流过电感性负载（１２）的负载电流（Ｉ↓［Ｌ］）；以及－把该主要的去激励电流（Ｉ↓［Ｑ７、Ｑ８］）传送到该晶体管（Ｑ１）上的一个控制输入端（Ｇ１）以便使该晶体管（Ｑ１）中的一个第一电容（Ｃ↓［ＧＳＱ１］）迅速地放电，由此使该晶体管的输入端（Ｇ１）上的电压电平（ＯＵＴＬＳＢ）转换到一个去激励区间（ＤＩＳ↓［ｌｉｍ］≤ＯＵＴＬＳＢ≤ＶＣＣＨ），同时断开该晶体管（Ｑ１）。