制造电子发射器件、电子源和图像形成装置的方法

摘要：

一种制造由一对电极和包括设置在电极之间的电子发射区的导电薄膜构成的电子发射器件的方法，其特征在于用如下步骤制造电子发射区：改变导电薄膜区域的组分和使电流流过所说的导电薄膜。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN95121796.8

申请日期：1995-11-29

公开/公告号：CN1131756

公开/公告日：1996-09-25

主分类号：G03G15/00

申请/专利权人:佳能株式会社

发明/设计人:西村三千代; 野村一郎; 坂野嘉和; 冢本健夫; 宫田浩克; 高田一广

主申请人地址:日本东京

专利代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人:杨国旭

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种制造由一对电极和包括设置在电极之间的电子发射区的导电薄膜构成的电子发射器件的方法，其特征在于用如下步骤制造电子发射区：改变导电薄膜区域的组分；和使电流流过所说的导电薄膜。