一种薄膜体声波器件

摘要：

借助于同半导体电路一起制作一个具有宽的带宽的滤波器或一个具有宽的振荡频率范围的谐振器，本发明的实施例提供了一种小而特性良好的体声波器件。在本发明的实施例中，体声波器件包含一个其上带有介电物质层的半导体衬底，介电物质层上有一个接地导体层，接地导体层上有一个压电陶瓷薄膜，而压电陶瓷薄膜上有一个导电电极图形。压电陶瓷薄膜的厚度为接地导体层厚度的１０倍以上，且沿平行于压电陶瓷薄膜表面的方向传播的声波的波数同压电陶瓷薄膜厚度的乘积小于２。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN95119782.7

申请日期：1995-11-24

公开/公告号：CN1131844

公开/公告日：1996-09-25

主分类号：H03H9/15

申请/专利权人:三菱电机株式会社

发明/设计人:和高修三; 三须幸一郎; 永∴勉; 木村友则; 龟山俊平; 前田智佐子; 山田朗; 本多俊久

主申请人地址:日本东京都

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人:董巍% 叶恺东

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种薄膜体声波器件，它包含：－一个半导体衬底；一个具有一定厚度、固定在半导体衬底上的接地导体层；一个具有一定厚度、固定在接地导体层上的压电陶瓷薄膜；以及一个固定在压电陶瓷薄膜上的导电电极图形；其特征在于压电陶瓷薄膜的厚度为接地导电层厚度的１０倍以上。