半导体器件的图形对准标记

摘要：

本发明涉及一种图形对准标记，其具有至少一个在半导体器件的制造工艺期间用于对准的已指定测量图形，包括：具有衰减所述已指定的测量图形中具有较高光反射强度的测量图形的光反射的装置，本发明通过消除在测量图形的重叠精度时光反射强度的差异，事先防止了图形误差的出现，使生产稳定，并减少了加工时间从而提高了加工的准确性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN95109443.2

申请日期：1995-07-07

公开/公告号：CN1115419

公开/公告日：1996-01-24

主分类号：G03F9/00

申请/专利权人:现代电子产业株式会社

发明/设计人:裴相满; 崔秉一

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:柳沈知识产权律师事务所

代理人:孙履平

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

一种图形对准标记，至少具有一个在半导体器件的制造工艺期间用于对准的被指定测量图形，包括：具有衰减所述已指定的测量图形中具有较高的光反射强度的测量图形的光反射的装置。