光掩膜及其制造方法

摘要：

一种光掩膜及其制造方法通过改善掩膜图形的邻近效应而增加电容器的电容。该光掩膜包括一个透明衬底、一个用于在衬底上限定透光区的遮光掩膜图形，和一个用于抑制透光区内的邻近效应的光透射控制薄膜图形。通过在遮光掩膜图形的各个独立部分之间的透光区内形成一光透射控制薄膜图形抑制了邻近效应，结果可将掩膜图形精确地转移到衬底上去。因此，增加了电容器的表面面积从而提高了所制造的半导体器件的可靠性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN95101151.0

申请日期：1995-01-10

公开/公告号：CN1121189

公开/公告日：1996-04-24

主分类号：G03F1/08

申请/专利权人:三星电子株式会社

发明/设计人:韩宇声; 孙昌镇

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人:王以平

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

用于将掩膜图形转移到半导体晶片上去的光掩膜，其特征在于包括：一个透明衬底；一个形成在上述衬底上的遮光掩膜图形，用于通过有选择地阻挡光而在上述遮光掩膜图形的边缘之间限定一个透光区；和一个光透射控制薄膜图形，用于抑制部分上述透光区内的邻近效应。