一种量子线超微细图形的制作方法

摘要：

本发明涉及量子线超微细图线的制作方法，包括利用陡侧壁x光栅制造初始光栅光刻掩模图形，将其转换为刻蚀掩模图形后再转换到所需基片上，其特征在于将初始光栅图形转换到为刻蚀掩模的过程中，先将图形转换到支撑材料薄层上，形成支撑光栅，然后在光栅表面涂金属薄层，得到由依附在支撑光栅垂直侧壁上的量子金属线构成的量子线光刻掩模，去除支撑光即栅成为刻蚀掩模图形，本发明方法具有工艺较为简单，制作面积大，不受材料分辨率限制的优点。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN95100463.8

申请日期：1995-02-28

公开/公告号：CN1130263

公开/公告日：1996-09-04

主分类号：G03F7/00

申请/专利权人:中国科学技术大学

发明/设计人:付绍军; 夏安东; 洪义麟; 田杨超; 胡一贯; 陶晓明; 阚娅; 张新夷

主申请人地址:230026安徽省合肥市金寨路96号

专利代理机构:中国科学技术大学专利事务所

代理人:陈进

国别省市代码:安徽;34

权利要求：

一种量子线超微细图形的制作方法，包括１）制作陡侧壁ｘ光透射光栅初始的光栅光刻掩模；２）将初始光栅上的光栅图形转换为量子线刻蚀掩模上的图形；３）把量子线刻蚀掩模上的图形转换到半导体基片上，其特征在于，将光栅光刻掩模上的图形转换为刻蚀掩模图形的步骤为：１）在衬底上涂支撑材料薄层；２）利用Ｘ光光刻技术将初始光栅掩模图形转换到上述支撑材料薄层上，即支撑光栅；３）在支撑光栅表面（含两侧壁表面）上均匀镀金属膜薄层；４）保留两侧壁上的金属膜，将其余部分金属膜层用干法刻蚀法刻去，即得到由依附在支撑光栅两侧壁上的金属镀层构成的量子线光刻掩模；５）去除支撑光栅，即得到刻蚀掩模。