光掩膜

摘要：

一种用来在一限于邻近待刻图层上形成的凹陷的区域上形成正光刻胶膜图形的光掩摸，包括在石英衬底上形成的铬图形及在该石英衬底上形成的设在邻近铬图形的与待构图层的凹陷相重合部位的多个斑点图形，该斑点图形适于减弱入射到石英衬底的与待刻图层的凹陷相重合部位的光强，因而能防止在光刻胶膜图形上出现因凹陷倾斜表面产生的无规则的光反射导致残蚀现象。该光掩模能防止光刻胶膜图案形状由于光刻胶膜的非预定部位被倾斜表面反射的光曝光而受损伤。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN94118243.6

申请日期：1994-11-15

公开/公告号：CN1118456

公开/公告日：1996-03-13

主分类号：G03F1/00

申请/专利权人:现代电子产业株式会社

发明/设计人:∴相满

主申请人地址:韩国京畿道利川郡

专利代理机构:北京市中原信达知识产权代理公司

代理人:余朦

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

一种用于在规定的与待刻图层上所形成的凹陷邻近的区域形成正光刻胶膜图形的光掩模，包括：一石英衬底，及在石英衬底上形成的，适于减弱入射到光掩模的与待刻图层凹陷相重合的部位的光强度的多个斑点图形。