ＬＣ元件，半导体装置及ＬＣ元件的制作方法
ＬＣ元件、半导体装置及其制作方法，ＬＣ元件在ｐ－Ｓｉ基片３０上夹以绝缘层２６形成指定形状的栅电极１０，给栅电极加电压形成沟道２２，由沟道２２把基片３０的表面附近隔开的位置上形成的第一扩散区１２和第二扩散区１４连接起来。沟道２２和栅电极１０都起电感器导体的作用，以分布参数的方式形成电容器。这种ＬＣ元件在较宽频段内具有良好的衰减特性。可用ＭＯＳ制作技术简单制造，可作为基片一部分，而省去后部工序中的部件装配作业。
发明专利
CN94114815.7
1994-07-25
CN1110028
1995-10-11
H03H7/01
T.I.F.株式会社
池田毅; 中西努; 冈本明
日本东京
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
王以平
日本;JP
一种ＬＣ元件，其特征是，具有：在半导体基片上形成的具有指定电感的栅极电极；在上述栅极电极和上述半导体基片之间形成的绝缘层；在上述半导体基片之内与上述栅极相对应而形成的沟道的一端附近形成的第一扩散区，以及在上述半导体基片之内的上述沟道的另一端形成的第二扩散区；其中，上述栅极电极和上述沟道起着电感器导体的作用，上述栅极电极的电感和上述沟道的电感以及在它们之间形成的电容，以分布参数的方式存在着，至少将上述沟道用作信号传送路径。