一种全内反射半导体光波导开关

摘要：

本实用新型公开了一种交叉型全内反射半导体光波导开关中的ＰＩＮ结的结构，它在由半导体基底支撑的光波导Ｉ层上外延生长型号与基底材料相反的异型外延层，形成全部外延的ＰＩＮ结的结构，并在异型外延层与光波导Ｉ层周边设置高电阻率的限定条框，这种结构可以完全避免在制造过程中因结的偏位而产生废品。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN93247246.X

申请日期：1993-12-15

公开/公告号：CN2172483

公开/公告日：1994-07-20

主分类号：G02B6/10

申请/专利权人:中国科学院半导体研究所

发明/设计人:庄婉如; 杨培生; 石志文; 孙富荣; 高俊华; 段继宁; 邹正中

主申请人地址:100083北京市海淀区清华东路肖庄

专利代理机构:北京林业大学专利事务所

代理人:卢纪

国别省市代码:北京(11)

权利要求：

一种交叉型全内反射半导体光波导开关，它在脊形光波导的交叉处设有一个由金属上下电极与多层半导体组成的条状竖直ＰＩＮ结，其特征在于，在所述ＰＩＮ结中，在由贴接金属下电极的半导体基底支撑的条状半导体光波导Ⅰ层上为型号与半导体基底相反且条宽限定较Ⅰ层更窄的异型掺杂半导体外延层，在条状异型外延层的上表面贴接金属上电极，在此异型外延层以及半导体光波导Ⅰ层的周边设有用高电阻率半导体材料作成的限定条框。