一种制备高掺杂浓度钽铌酸钾的方法

摘要：

本发明属于非线性光学晶体的制备技术领域，它解决了目前生长钽铌酸钾（ＫＴＮ）掺杂浓度过高时生长出的晶体是黑色或深蓝色，可见光不能透过的问题，本发明的主要内容就是在生长ＫＴＮ晶体的原料中加入一种脱色剂，它不但提高了掺杂浓度而且生长出的晶体极化后完全透明，具有二波耦合增益系数大、自泵浦相位共轭反射率高的优点，可应用于激光器件、光通讯、光信息处理、图像复原、光计算、智能计算机和光学神经网络等领域。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN93110357.6

申请日期：1993-04-02

公开/公告号：CN1093172

公开/公告日：1994-10-05

主分类号：G02B1/02

申请/专利权人:山东大学

发明/设计人:管庆才; 魏景谦; 王继杨; 刘跃岗; 邵宗书; 蒋民华

主申请人地址:250100山东省济南市山大南路27号

专利代理机构:山东大学专利事务所

代理人:刘旭东

国别省市代码:山东;37

权利要求：

一种制备高掺杂浓度钽铌酸钾晶体的方法，以Ｋ↓［２］ＣＯ↓［３］、Ｔａ↓［２］Ｏ↓［５］、Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］为原料，用Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［３］、ＣｒＯ↓［３］等作为掺杂剂，在单晶生长炉中进行降温生长，其特征是在生长原料中加入一种脱色剂。