半导体器件及其制造方法

摘要：

一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移（ｏｆｆｓｅｔ）区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN92110004.3

申请日期：1992-08-22

公开/公告号：CN1070052

公开/公告日：1993-03-17

主分类号：G02F1/00

申请/专利权人:株式会社半导体能源研究所

发明/设计人:山崎舜平; 间濑晃; 广木正明; 竹村保彦; 张宏勇; 鱼地秀贵; 根本英树

主申请人地址:日本神奈川县厚木市

专利代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人:吴增勇% 肖掬昌

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种半导体器件的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极部分；将杂质离子植入所述半导体层，以赋予其为Ｐ型或ｎ型导电率，同时以所述栅极部分作掩模，以在所述半导体层中形成源区或漏区；对所述植入步骤之后的所述栅极部分的表面部分进行阳极氧化；在所述阳极氧化步骤之后，使所述半导体器件经受热处理。