Ｘ射线聚束光刻法及其装置

摘要：

从金属等离子体中发射的脉冲Ｘ射线，一部分进入由玻璃光导管组成的聚束透镜，其收集角达１０—３０°，玻璃光导管内径３６０μｍ，两端为直线段，中部为曲线段。Ｘ射线进入光导管后在管壁上多次全反射，最后以准平行光出射。数千根光导管按照收集角的要求及照野大小排列成阵，改变其长度和位置分布可以得到均匀照野或特定要求的照野。从聚束器出射的Ｘ射线，经过一段距离的交叉混合形成均匀分布的准平行束，投射到光刻工作台上，将掩膜上的图形投影到晶片的光刻胶层上，完成亚微米光刻过程。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN91103079.4

申请日期：1991-05-18

公开/公告号：CN1067121

公开/公告日：1992-12-16

主分类号：G03F7/213

申请/专利权人:北京师范大学

发明/设计人:颜一鸣

主申请人地址:100875北京市新街口外大街19号

专利代理机构:北京师范大学专利事务所

代理人:华明达% 吴圣谷

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种用于微电子器件亚微米光刻的方法，该方法是由等离子体产生Ｘ射线，投射到带有掩膜和光刻胶的晶片上进行曝光，形成亚微米的图形，该方法的特征在于由金属等离子体产生大功率脉冲Ｘ射线，然后用Ｘ射线聚束透镜将发散的Ｘ射线会聚成平行束，进行光刻。