用互补型金属氧化物晶体管技术实现的倒相器

摘要：

本发明倒相器的两个晶体管(tn、tp)是通过两个电容(c1、c2)纯粹容性地驱动的,(tn、tp)的直流工作点通过来自参考电流源(sr)的输出电流的驱动电流来确定.由此对输入信号的正、负脉冲沿给出相同的延迟,这样,与作为电压比较器的差分放大器(K)一起的最佳应用能在10～20MHz频率范围内达到良好的高频响应.

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN86103472

申请日期：1986-05-22

公开/公告号：CN86103472

公开/公告日：1986-12-24

主分类号：H03F3/18

申请/专利权人:德国ITT工业有限公司

发明/设计人:沃夫冈·格林格

主申请人地址:联邦德国弗赖堡7800

专利代理机构:中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人:王以平

国别省市代码:德国;DE

权利要求：

用ＣＭＯＳ技术实现的倒相器及其所包括的两个晶体管，也就是ｐ沟道晶体管（ｔｐ）和ｎ沟道晶体管（ｔｎ）。　　所述两个晶体管的控制电流通路串联在电压源的正端（ｖｄ）和负端（ｖｓ）之间，而这两个晶体管的连接点构成倒相器的输出端（ａｇ），　　该ｎ沟道晶体管（ｔｎ）的栅极通过第一电容（ｃ１）连接到倒相器输入端（ｅ），　　而该ｎ沟道晶体管（ｔｎ）也就是第一电流反映电路（ｓ１）的输出晶体管，所述倒相器及其所包括的两个晶体管其特征在于以下特点：　　该ｐ沟道晶体管（ｔｐ）的栅极通过第二电容（ｃ２）连接到倒相器的输入端（ｅ）；　　该ｐ沟道晶体管（ｔｐ）就是第二电流反映电路（ｓ２）的输出晶体管；　　第一电流反映电路（ｓ１）的输出电流和第二电流反映电路（ｓ２）的输出电流根据倒相器的两个输出电平（Ｈ，Ｌ），在高值电流和低值电流之间转换，这样，在Ｈ电平时，第一电流反映电路（ｓ１）能够有低值电流，在Ｌ电平时，（ｓ１）能够有高值电流；　　而第二电流反映电路（ｓ２）则在Ｈ电平时能够有高值电流，在Ｌ电平时，能够有低值电流。　　第一电流反映电路（ｓ１）的驱动电流（ｉｓ１）是第三电流反映电路（ｓ３）的输出电流（ｉａ３），而第三电流反映电路（ｓ３）的驱动电流（ｉｓ３）又是参考电流反映电路（ｓｒ）的第一输出电流（ｉａｒ１）；　　第二电流反映电路（ｓ２）的驱动电流（ｉｓ２）是参考电流反映电路（ｓｒ）的第二输出电流（ｉａｒ２），　　该ｎ沟道晶体管（ｔｎ）的栅极通过第一电阻（ｒ１）连接到第一电流反映电路（ｓ１）的驱动输入端，而ｐ沟道晶体管（ｔｐ）的栅极通过第二电阻（ｒ２）连接到第二电流反映电路（ｓ２）的驱动输入端。