高速二极管箝位"与或非门"电路

摘要：

本发明采用了射极跟随器作为"与"和"或"门的输入端,又在"非门"中采用了二极管箝位,使其反相用的共发射极三极管不能进入深截止区,并在其发射极与地之间串有二极管和电阻,提高了发射极电位.根椐实验模拟,在同等条件下,此电路的比ECL电路快6倍,比TTL电路快20倍.

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN85108433

申请日期：1985-11-18

公开/公告号：CN85108433

公开/公告日：1986-09-03

主分类号：H03K19/01

申请/专利权人:杨光宇

发明/设计人:杨光宇

主申请人地址:内蒙古自治区呼和浩特市内蒙经委经济管理干部学院

国别省市代码:内蒙古;15

权利要求：

一种高速二极管箝位的“与或非门”电路，其特征在于起反相作用的三极管的集电极与对地箝位的二极管（或齐纳管）相联，又与作为负载的发射极跟随器相联。