一种GaN器件的驱动电路

摘要：

本公开提供一种GaN器件的驱动电路，包括：二分频电路，用于接收给定电压信号，并将所述给定电压信号进行二分频处理，得到二分频信号；延迟电路，用于对所述二分频信号进行延迟，得到延迟信号；第一与门电路，用于对所述二分频信号和所述延迟信号进行逻辑与操作，得到驱动控制信号；非门电路，用于对所述二分频信号进行逻辑非操作，得到非门信号；第二与门电路，用于接收所述给定电压信号，并对所述给定电压信号和所述非门信号进行逻辑与操作，得到负电平选择信号；负电平选择电路，用于基于所述负电平选择信号输出第一负电平或第二负电平信号；推挽驱动电路，用于输出器件驱动信号，以控制所述GaN器件的开关或关断。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN202410052341.7

申请日期：2024-01-11

公开/公告号：CN118449505A

公开/公告日：2024-08-05

主分类号：H03K17/284(2006.01)

申请/专利权人:北方工业大学%国网宁夏电力有限公司银川供电公司

发明/设计人:贾鹏宇;张海麟

主申请人地址:100144 北京市石景山区晋元庄路5号;

专利代理机构:南京北辰联和知识产权代理有限公司

代理人:卫麟

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种GaN器件的驱动电路，其特征在于，包括： 二分频电路，用于接收给定电压信号，并将所述给定电压信号进行二分频处理，得到二分频信号； 延迟电路，与所述二分频电路连接，用于对所述二分频信号进行延迟，得到延迟信号； 第一与门电路，与所述二分频电路和所述延迟电路连接，用于对所述二分频信号和所述延迟信号进行逻辑与操作，得到驱动控制信号； 非门电路，与所述二分频电路连接，用于对所述二分频信号进行逻辑非操作，得到非门信号； 第二与门电路，与所述非门电路连接，用于接收所述给定电压信号，并对所述给定电压信号和所述非门信号进行逻辑与操作，得到负电平选择信号； 负电平选择电路，与所述第二与门电路连接，用于基于所述负电平选择信号输出第一负电平或第二负电平信号； 推挽驱动电路，与所述第一与门电路和所述负电平选择电路连接，用于输出器件驱动信号，以控制所述GaN器件的开关或关断。 2.根据权利要求1的电路，其特征在于，所述推挽驱动电路包括： 第一开关，所述第一开关的第一端连接至高电平电路，所述第一开关的第二端连接至第一电阻的第一端，所述第一开关的控制端连接至所述第一与门电路； 第二开关，所述第二开关的第一端连接至所述第一电阻的第二端，所述第二开关的第二端连接至所述负电平选择电路，所述第二开关的控制端连接至所述第一与门电路； 第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端连接至所述GaN器件的控制端。 3.根据权利要求2的电路，其特征在于，在第一时间段，所述给定电压信号为高电平，所述驱动控制信号为低电平，所述负电平选择信号为低电平，所述负电平选择电路输出第一负电平，所述器件驱动信号为第一低电平，所述GaN器件处于关断状态。 4.根据权利要求2的电路，其特征在于，在第二时间段，所述给定电压信号为高电平，所述驱动控制信号为高电平，所述负电平选择信号为低电平，所述负电平选择电路输出第一负电平，所述器件驱动信号为高电平，所述GaN器件处于导通状态。 5.根据权利要求2的电路，其特征在于，在第三时间段，所述给定电压信号为低电平，所述驱动控制信号为低电平，所述负电平选择信号为高电平，所述负电平选择电路输出第二负电平，所述器件驱动信号为第二低电平，所述GaN器件处于关断状态。 6.根据权利要求2的电路，其特征在于，在第四时间段，所述给定电压信号为低电平，所述驱动控制信号为低电平，所述负电平选择信号为低电平，所述负电平选择电路输出第一负电平，所述器件驱动信号为第一低电平，所述GaN器件处于关断状态。