一种低噪声放大器及射频芯片
本发明适用于无线通信技术领域，尤其涉及一种低噪声放大器及射频芯片。与现有技术相比，本发明的低噪放大器包括信号输入端、输入匹配网络、第一增益衰减单元、第二增益衰减单元、功率放大单元、输出匹配网络以及信号输出端。第二增益衰减单元的第一开关晶体管的栅极、第二开关晶体管的栅极、第三开关晶体管的栅极以及第四开关晶体管的栅极连接外部逻辑控制电路，第一开关晶体管的源极、第二开关晶体管的源极、第三开关晶体管的源极以及第四开关晶体管的源极分别接地，第二电感的第一端与功率放大单元的输入端连接。这样本发明的低噪声放大器能在降低增益时兼顾了IIP3和噪声系数。
发明专利
CN202410034339.7
2024-01-10
CN117559920A
2024-02-13
H03F1/26(2006.01)
深圳飞骧科技股份有限公司
胡杨君;郭嘉帅
518052 广东省深圳市南山区南头街道大汪山社区南光路286号水木一方大厦1栋1601
深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙)
刘伟
广东;44
1.一种低噪放大器，其特征在于，所述低噪放大器包括信号输入端、输入匹配网络、第一增益衰减单元、第二增益衰减单元、功率放大单元、输出匹配网络以及信号输出端； 所述信号输入端与所述输入匹配网络的输入端连接；所述输入匹配网络的输出端与所述第一增益衰减单元的输入端连接；所述第一增益衰减单元的输出端与所述功率放大单元的第一输入端连接；所述第二增益衰减单元的第一端用于与外部逻辑控制电路连接，所述第二增益衰减单元的第二端接地，所述第二增益衰减单元的第三端与所述功率放大单元的第二输入端连接；所述功率放大单元的输出端与所述输出匹配网络的输入端连接；所述输出匹配网络的输出端与所述信号输出端连接； 所述第二增益衰减单元包括第一电感、第二电感、第一电阻、第二电阻、以及用于充当开关的第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管和第四开关晶体管；所述第一开关晶体管的栅极、所述第二开关晶体管的栅极、所述第三开关晶体管的栅极以及所述第四开关晶体管的栅极共同作为所述第二增益衰减单元的第一端，所述第一开关晶体管的源极、所述第二开关晶体管的源极、所述第三开关晶体管的源极以及所述第四开关晶体管的源极相互连接并共同作为所述第二增益衰减单元的第二端，所述第二电感的第一端作为所述第二增益衰减单元的第三端，所述第二电感的第二端连接至所述第一开关晶体管的漏极；所述第一电感的第一端连接至所述第一开关晶体管的漏极，所述第二开关晶体管的漏极、所述第一电阻的第一端以及所述第二电阻第一端分别连接至所述第一电感的第二端，所述第三开关晶体管的漏极与所述第一电阻的第二端连接，所述第四开关晶体管的漏极与所述第二电阻的第二端连接。 2.如权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述第一增益衰减单元包括第一电容、第二电容、第三电容、以及用于充当开关的第五开关晶体管和第六开关晶体管；所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端相互连接并共同作为所述第一增益衰减单元的输入端，并且所述第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述第三电容的第一端相互连接并作为所述第一增益衰减单元的第一输出端；所述第二电容的第二端与所述第五开关晶体管的漏极连接，所述第三电容的第二端与所述第六开关晶体管的漏极连接，所述第五开关晶体管的栅极和所述第六开关晶体管的栅极分别用于连接外部逻辑控制电路，所述第一电容的第二端、所述第五开关晶体管的源极以及所述第六开关晶体管的源极相互连接并共同作为所述第一增益衰减单元的第二输出端连接至所述功率放大单元的第二输入端。 3.如权利要求2所述的低噪放大器，其特征在于，所述功率放大单元包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的栅极作为所述功率放大单元的第一输入端，所述第一MOS管的源极作为所述功率放大单元的第二输入端； 所述第二MOS管的源极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的漏极作为所述功率放大单元的输出端，所述第二MOS管的栅极用于连接外部偏置电路。 4.如权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述输出匹配网络包括第四电容和第三电感；所述第三电感的第一端用于连接电源电压，所述第三电感的第二端和所述第四电容的第一端连接并共同作为所述输出匹配网络的输入端，所述第四电容的第二端作为所述输出匹配网络的输出端。 5.如权利要求1所述的低噪放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括第四电感；所述第四电感的第一端作为所述输入匹配网络的输入端，所述第四电感的第二端作为所述输入匹配网络的输出端。 6.如权利要求5所述的低噪放大器，其特征在于，所述输入匹配网络还包括第五电容，所述第五电容的第一端与所述第四电感的第二端连接，所述第五电容的第二端作为所述输入匹配网络的输出端。 7.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如权利要求1-6任意一项所述的低噪放大器。