一种H桥结构高速脉冲电路
本实用新型涉及工业电子电路技术领域，具体涉及一种H桥结构高速脉冲电路，包括控制模块、驱动模块和H桥模块，控制模块连接驱动模块，驱动模块连接H桥模块，H桥模块包括限流保护电路和H桥MOS管电路，限流保护电路连接H桥MOS管电路，H桥MOS管电路连接驱动模块，控制模块将信号进行处理隔离后发送AHI、ALI、BHI和BLI信号给驱动模块，驱动模块经过锁存后，输出1MHz脉冲速率和AHO、ALO、BHO、BLO信号，输出的信号控制H桥MOS管电路的导通和关断，能够快速、精确地控制驱动接入的设备，并通过限流保护电路起到限流和短路保护，从而能够实现高达1MHz脉冲速率，且减少信号在传输过程中的干扰和起到短路保护的效果，应用于车载雷达、无线通信等许多高需求场景。
实用新型
CN202323573812.9
2023-12-26
CN221467691U
2024-08-01
H03K3/021(2006.01)
深圳市华茂欧特科技有限公司
罗宏;文国钦
518126 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区奋达高新科技园C栋402、405
桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙)
张学平
广东;44
1.一种H桥结构高速脉冲电路，其特征在于， 包括控制模块、驱动模块和H桥模块，所述控制模块连接所述驱动模块，所述驱动模块连接所述H桥模块； 所述H桥模块包括限流保护电路和H桥MOS管电路，所述限流保护电路连接所述H桥MOS管电路，所述H桥MOS管电路连接所述驱动模块。 2.如权利要求1所述的一种H桥结构高速脉冲电路，其特征在于， 所述限流保护电路包括功率开关U4、功率开关U5、电阻R8和电阻R9，所述功率开关U4与所述功率开关U5电性连接；所述电阻R8与所述功率开关U4的GND引脚电性连接；所述电阻R9与所述功率开关U5的GND引脚电性连接；所述功率开关U4的OUT引脚与所述H桥MOS管电路电性连接；所述功率开关U5的OUT引脚与所述H桥MOS管电路电性连接。 3.如权利要求2所述的一种H桥结构高速脉冲电路，其特征在于， 所述H桥MOS管电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、瞬态二极管TVS1、瞬态二极管TVS2和负载，所述MOS管Q1与所述功率开关U4的OUT引脚电性连接，所述MOS管Q1与所述负载电性连接；所述MOS管Q2与所述功率开关U5的OUT引脚电性连接，所述MOS管Q2与所述负载电性连接；所述MOS管Q3与所述MOS管Q1电性连接；所述MOS管Q4与所述MOS管Q2电性连接；所述电阻R4的第一端与所述驱动模块电性连接，所述电阻R4的第二端与所述MOS管Q1电性连接；所述电阻R5的第一端与所述驱动模块电性连接，所述电阻R5的第二端与所述MOS管Q3电性连接；所述电阻R6的第一端与所述驱动模块电性连接，所述电阻R6的第二端与所述MOS管Q2电性连接；所述电阻R7的第一端与所述驱动模块电性连接，所述电阻R7的第二端与所述MOS管Q4电性连接；所述瞬态二极管TVS1的第一端与所述负载连接，所述瞬态二极管TVS1的第二端与所述MOS管Q3电性连接；所述瞬态二极管TVS2的第一端与所述负载连接，所述瞬态二极管TVS2的第二端与所述MOS管Q4电性连接。 4.如权利要求3所述的一种H桥结构高速脉冲电路，其特征在于， 所述驱动模块包括驱动芯片电路，所述驱动芯片电路包括芯片U3、二极管D1和二极管D2，所述芯片U3与所述控制模块电性连接，所述芯片U3的AHO引脚与所述电阻R4的第一端电性连接，所述芯片U3的ALO引脚与所述电阻R5的第一端电性连接，所述芯片U3的BHO引脚与所述电阻R6第一端电性连接，所述芯片U3的BLO引脚与所述电阻R7的第一端电性连接；所述二极管D1的第一端与所述芯片U3的AHB引脚电性连接，所述二极管D1的第二端与所述芯片U3的VCC引脚电性连接；所述二极管D2的第一端与所述芯片U3的BHB引脚电性连接，所述二极管D2的第二端与所述芯片U3的VDD引脚电性连接。 5.如权利要求4所述的一种H桥结构高速脉冲电路，其特征在于， 所述控制模块包括单片机控制电路，所述单片机控制电路包括MCUU1、CPLDU2和隔离G1，所述MCUU1与所述CPLDU2电性连接；所述隔离G1与所述CPLDU2电性连接；所述芯片U3与所述隔离G1电性连接。