一种800G 2XFR4硅光器件
本实用新型涉及一种800G 2XFR4硅光器件，基座上在每个光隔离器的入光侧以及出光侧各粘接耦合一个准直透镜和汇聚透镜；基座上在四个准直透镜的入光侧耦合四种波长不同的激光芯片，基座上布置硅光芯片，硅光芯片的四个输入波导分别与四个汇聚透镜相耦合，光纤阵列中的两根光纤与硅光芯片的两个输出波导相耦合；四个汇聚透镜以高矮形式相间分布，高度差至少为0.4mm，且靠近光纤阵列的透镜为矮透镜；四个准直透镜以高矮形式相间分布，高度差至少为0.4mm。有益效果为：四个汇聚透镜以及四个准直透镜均采用高、矮透镜相间分布，且高度差至少为0.4mm，使得透镜两侧具有足够的操作空间，非常方便操作和制作夹具。
实用新型
CN202323393193.5
2023-12-10
CN221406110U
2024-07-22
G02B6/42(2006.01)
武汉钧恒科技有限公司
方文银;彭开盛
430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷三路777号3号电子厂房5楼南面
武汉大楚知识产权代理有限公司
高源
湖北;42
1.一种800G 2XFR4硅光器件，包括：基座(1)以及四个在基座(1)上并排分布的光隔离器(2)，所述基座(1)上在每个光隔离器(2)的入光侧以及出光侧各粘接耦合一个准直透镜(3)和汇聚透镜(4)；所述基座(1)上在四个准直透镜(3)的入光侧耦合四种波长不同的激光芯片(5)，所述基座(1)上布置硅光芯片(6)，所述硅光芯片(6)的四个输入波导(610)分别与四个汇聚透镜(4)相耦合，所述基座(1)上设有具有两根光纤(810)的光纤阵列(8)，所述光纤阵列(8)中的两根光纤(810)与所述硅光芯片(6)的两个输出波导(620)相耦合，其特征在于，四个汇聚透镜(4)以高矮形式相间分布，高度差至少为0.4mm，且靠近光纤阵列(8)的透镜为矮透镜；四个准直透镜(3)以高矮形式相间分布，高度差至少为0.4mm。 2.根据权利要求1所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，每个光隔离器(2)的入光侧以及出光侧所耦合的准直透镜(3)和汇聚透镜(4)的高度不同。 3.根据权利要求1或2所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，四个汇聚透镜(4)中高、矮透镜的高度差为0.4mm～0.6mm；四个准直透镜(3)中高、矮透镜的高度差为0.4mm～0.6mm。 4.根据权利要求3所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，四个准直透镜(3)具有两种高度，分别为1mm和1.5mm；四个汇聚透镜(4)具有两种高度，分别为1mm和1.5mm，其中靠近光纤阵列(8)的汇聚透镜(4)的高度为1mm。 5.根据权利要求1所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，所述基座(1)上在四种激光芯片(5)与所述硅光芯片(6)之间并排布置四块垫块(7)，四块垫块(7)中相邻两个道通的垫块(7)之间具有间隙，每块垫块(7)上均粘接固定有一个准直透镜(3)、光隔离器(2)和汇聚透镜(4)。 6.根据权利要求5所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，所述垫块(7)的高度为0.7mm，四块垫块(7)中相邻两个道通的垫块(7)之间具有0.1mm的间隙。 7.根据权利要求5或6所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，所述垫块(7)的材质为陶瓷。 8.根据权利要求1所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，所述光纤阵列(8)上固定有玻璃块(9)。 9.根据权利要求1所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，四个准直透镜(3)中相邻两个准直透镜(3)的中心间距为0.8mm。 10.根据权利要求9所述一种800G 2XFR4硅光器件，其特征在于，所述硅光芯片(6)的宽度小于等于5mm。