IGBT模块击穿保护电路

摘要：

本实用新型公开了一种IGBT模块击穿保护电路，包括与负载电路电连接的电流传感器SC和三极管V1，所述三级管V1的发射极与电流传感器SC的初级线圈电连接，所述三级管V1的集电极电连接一个二极管VD1，所述二极管VD1的另一端分别电连接一个电阻R1和一个电阻R2，所述电阻R1电连接驱动及软关断电路，所述电阻电连接一个二极管VD3，所述二极管VD3电连接一个三极管V3的基极，所述三极管V3的基极还耦接比较器IC1，所述电流传感器的次级线圈耦接比较器IC1。本实用新型不仅可以通过电流传感器检测短路电流，进行IGBT软关断保护，还可以通过限制了IGBT峰值电流的幅度，从而输出软关断信号，双重防护，反应迅速，防止电路击穿，适用于高精度电路中，保护电子元件。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN202323142912.6

申请日期：2023-11-20

公开/公告号：CN221487693U

公开/公告日：2024-08-05

主分类号：H03K17/081(2006.01)

申请/专利权人:深圳市伟安特电子有限公司

发明/设计人:杨权山;邱雨;赵燕霞

主申请人地址:518000 广东省深圳市福田区福田街道福南社区深南中路3039号国际文化大厦1201

专利代理机构:深圳市共赋知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人:戴满涛

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1.IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，包括与负载电路电连接的电流传感器SC和三极管V1，所述三极管V1的发射极与电流传感器SC的初级线圈电连接，所述三极管V1的集电极电连接一个二极管VD1，所述二极管VD1的另一端分别电连接一个电阻R1和一个电阻R2，所述电阻R1电连接驱动及软关断电路，所述电阻R1还电连接一个电阻Rg,所述电阻Rg电连接三极管V1的基极，所述电阻R2分别电连接一个电阻R3和一个二极管VD3，所述二极管VD3电连接一个三极管V3的基极，所述三极管V3的基极还耦接比较器IC1，所述电流传感器的次级线圈耦接比较器IC1。 2.根据权利要求1所述的IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，所述驱动及软关断电路电连接一个三极管V2的发射极，三极管V2的基极分别电连接一个电阻R5和一个电容C3，所述电阻R5分别与二极管VD3、三极管V3的基极电连接。 3.根据权利要求2所述的IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，所述电阻Rg电连接一个二极管VD2，所述二极管VD2分别电连接一个稳压二极管ZD和一个电容C1，所述稳压二极管ZD和一个电容C1电连接三极管V3的集电极，所述三极管V3的基极电连一个电阻R4。 4.根据权利要求3所述的IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，所述电流传感器SC的次级线圈经整流桥后电连接一个电容C2，所述电容C2的一端电连接分别电连接一个电阻R8和一个电阻R7，所述电阻R7电连接比较器IC1的正极。 5.根据权利要求4所述的IGBT模块击穿保护电路，其特征在于，所述电容C2的另一端电连接一个滑变电阻RP1，所述滑变电阻RP1电连接一个电阻R6，所述电阻R6电连接比较器IC1的负极。