一种低压轨至轨的CMOS放大器

摘要：

本实用新型公开了一种低压轨至轨的CMOS放大器，包括两组双PMOS差分输出对结构电路。本实用新型的一种低压轨至轨的CMOS放大器，可基于0.5um等较大尺寸沟道长度的CMOS工艺下，供电电压低于1.8V时保证放大器的正常工作状态，主要通过利用两组PMOS差分对输入管之间实现电位平移来获取轨间信号，采用源跟随器电路将输入信号分为两组共模输入电压，最后结合两组差分采样，从而获取完整的放大器轨对轨信号。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN202322131268.6

申请日期：2023-08-09

公开/公告号：CN220511085U

公开/公告日：2024-02-20

主分类号：H03F3/45(2006.01)

申请/专利权人:上海鑫雁微电子股份有限公司

发明/设计人:武宜翔;管慧;许明峰

主申请人地址:201101 上海市闵行区中春路8923号B座301-302室

专利代理机构:徐州知创智行专利代理事务所(普通合伙)

代理人:王俊杰

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种低压轨至轨的CMOS放大器，其特征在于，包括两组双PMOS差分输出对结构电路。 2.根据权利要求1所述的一种低压轨至轨的CMOS放大器，其特征在于：PMOS管MP21、MP22与PMOS管MP23、MP24分别构成放大器的两组输入差分对结构。 3.根据权利要求2所述的一种低压轨至轨的CMOS放大器，其特征在于：PMOS管MP21、MP22的栅端与NMOS管MN21、MN22相连分别接收正常的差分输入信号。 4.根据权利要求3所述的一种低压轨至轨的CMOS放大器，其特征在于：NMOS管MN21、MN22的源端接电流源负载作为源跟随级电路得到输入差分电压信号的偏移电位。 5.根据权利要求4所述的一种低压轨至轨的CMOS放大器，其特征在于：差分对输入结构的输入电压摆幅由差分对PMOS管MP21、MP22与进行电位平移后的差分对PMOS管MP21、MP22共同构成。