一种低噪声分布式放大器及电路

摘要：

本实用新型公开了一种低噪声分布式放大器及电路，放大器包括常规分布式结构和低噪声负载结构；所述低噪声负载结构连接在所述常规分布式结构的输入传输线终端，作为输入等效传输线的终端负载，同时为射频放大器提供参考偏置。所述低噪声负载结构为电流镜结构；所述电流镜结构的输入阻抗等于分布式输入级终端吸收负载的阻抗。该结构可以在不影响低噪声分布式放大器的其他射频指标的情况下，极大降低2GHz以下噪声系数，使得分布式放大器低频端噪声系数小于1.5dB。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN202322031699.5

申请日期：2023-07-31

公开/公告号：CN220440676U

公开/公告日：2024-02-02

主分类号：H03F3/193(2006.01)

申请/专利权人:南京元络芯科技有限公司

发明/设计人:夏冬;潘俊;王静波;李海涛;徐建;桂超

主申请人地址:210000 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座601室

专利代理机构:南京纵横知识产权代理有限公司

代理人:钟昕宇

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

1.一种低噪声分布式放大器，其特征在于，包括分布式结构和低噪声负载结构； 所述低噪声负载结构连接在所述分布式结构的输入传输线终端，作为输入等效传输线的终端负载，同时为射频放大器提供参考偏置。 2.根据权利要求1所述的低噪声分布式放大器，其特征在于，所述低噪声负载结构为电流镜结构； 所述电流镜结构的输入阻抗等于分布式输入级终端吸收负载的阻抗。 3.根据权利要求2所述的低噪声分布式放大器，其特征在于，所述电流镜结构包括： 电源电压Vdd：用于提供工作电压； 参考电阻R_ref：所述电阻r_ref一端与场效应管栅级相连，一端与场效应管漏级相连，用于提供相对稳定的参考电流； 参考管芯M_ref：用于提供电流回路，产生参考栅压Vg；参考管芯M_ref输出端与放大器的栅极相连； 偏置电阻R_bias：所述电阻r_bias一端与电源相连，一端与场效应管漏级相连，场效应源级接地。 4.根据权利要求1所述的低噪声分布式放大器，其特征在于，电阻R_bias的电阻值大于电阻R_ref和参考管芯M_ref等效的电阻值。 5.根据权利要求1所述的低噪声分布式放大器，其特征在于，电流镜结构的供电电压，从输出端的Vdd直接引入。 6.一种电路，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的低噪声分布式放大器。