一种IGBT软关断驱动电路

摘要：

本实用新型公开了一种IGBT软关断驱动电路，包括VCE检测电路和IGBT驱动电路；所述VCE检测电路包括光耦内部三极管T1、电阻R1、R2、电容C5，二极管D1、D2，所述光耦内部三极管T1的基极通过该电阻R2与IGBT模块的输出端连接，所述光耦内部三极管T1的集电极依次通过二极管D1、电阻R1与IGBT模块的DESAT端连接，所述二极管D2的一端连接在电阻R1与IGBT模块之间，二极管D2的另一端与IGBT的VE端连接，所述电容C5连接在二极管D2与IGBT模块之间。该IGBT软关断驱动电路通过VCE检测电路检测IGBT正向导通管压降Uce，再通过IGBT驱动电路实现开关，如果发生短路，再通过软关断电路给栅射之间的电容Cge放电，从而降低IGBT的关断速度，避免产生过电压，关断时间延长。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN202322007933.0

申请日期：2023-07-28

公开/公告号：CN220421793U

公开/公告日：2024-01-30

主分类号：H03K17/081(2006.01)

申请/专利权人:深圳硅山技术有限公司

发明/设计人:张威

主申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区石岩街道上屋社区爱群路同富裕工业区2-5号厂房三层

专利代理机构:深圳正和天下专利代理事务所(普通合伙)

代理人:赫巧莉

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1.一种IGBT软关断驱动电路，其特征在于，包括: VCE检测电路，用于检测IGBT模块Vce点的电压值并输出电平信号；以及 IGBT驱动电路，获取电平信号并控制IGBT模块的开关； 所述VCE检测电路包括光耦内部三极管T1、电阻R1、R2、电容C5，二极管D1、D2，所述光耦内部三极管T1的基极通过该电阻R2与IGBT模块的输出端连接，所述光耦内部三极管T1的集电极依次通过二极管D1、电阻R1与IGBT模块的DESAT端连接，所述二极管D2的一端连接在电阻R1与IGBT模块之间，二极管D2的另一端与IGBT的VE端连接，所述电容C5连接在二极管D2与IGBT模块之间； 所述IGBT驱动电路包括驱动光耦U1、电阻R28、R29、R46、R47、R33、R24、三极管Q11、Q2、Q4、稳压管D10，所述驱动光耦U1的输出端通过并联的电阻R28、R29分别连接三极管Q2、Q4的基极，所述三极管Q2的发射极与Q4的发射极连接后接入并联的R46、R47，且三极管Q2与Q4的集电极之间依次通过R33、稳压管D10连接，所述三极管Q11的基极与发射极通过电阻R24连接后接入三极管Q2的发射极与Q4的发射极之间，且三极管Q11的集电极与Q4的集电极连接。