一种多晶硅还原炉及其底盘
本申请提供了一种多晶硅还原炉及其底盘，涉及多晶硅生产设备领域，多晶硅还原炉的底盘包括：底盘、电极组、第一出料端及至少一个进料端，所述电极组中的电极数量为58对，所述电极呈同心圆间隔设置于所述底盘上，所述第一出料端设置于所述底盘上，所述第一出料端与第一排气管连接，所述进料端设置于所述底盘上，所述进料端与进气管连接，在所述电极组上的硅棒也为58对，采用58对硅棒的设计，相对于40对硅棒还原炉，充分利用了所述底盘的空间，能有效提高多晶硅还原炉的产能，提高了硅棒之间的热辐射利用率，降低了电耗，从而降低了多晶硅的生产成本。
实用新型
CN202320320934.8
2023-02-27
CN220489703U
2024-02-13
F27B17/00(2006.01)
甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司
杨永升;石锦轩;陈亮亮
736100 甘肃省酒泉市瓜州县北大桥现代高载能产业园
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司
王新哲
甘肃;62
1.一种多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，包括：底盘、电极组、第一出料端及至少一个进料端； 所述电极组中的电极数量为58对，所述电极呈同心圆间隔设置于所述底盘上； 所述第一出料端设置于所述底盘上，所述第一出料端与第一排气管连接； 所述进料端设置于所述底盘上，所述进料端与进气管连接； 所述底盘上设置有电极圈组； 所述电极圈组包括第一电极圈、第二电极圈、第三电极圈、第四电极圈及第五电极圈； 所述第一电极圈、所述第二电极圈、所述第三电极圈、所述第四电极圈及所述第五电极圈沿远离所述第一出料端的方向依次设置于所述底盘上； 所述电极组中的电极分布于所述第一电极圈、所述第二电极圈、所述第三电极圈、所述第四电极圈及所述第五电极圈上； 所述第一电极圈上的所述电极的数量为4对，所述第二电极圈上的所述电极的数量为8对，所述第三电极圈上的所述电极的数量为12对，所述第四电极圈上的所述电极的数量为16对，所述第五电极圈上的所述电极的数量为18对； 所述底盘上设置有进料圈组； 所述进料圈组包括第一进料圈、第二进料圈、第三进料圈、第四进料圈及第五进料圈； 所述第一进料圈位于所述第一电极圈远离所述第二电极圈的一侧，所述第二进料圈位于所述第一电极圈与第二电极圈之间，所述第三进料圈位于所述第二电极圈与第三电极圈之间，所述第四进料圈位于所述第三电极圈与第四电极圈之间，所述第五进料圈位于所述第四电极圈与第五电极圈之间； 所述进料端分布于所述第一进料圈、所述第二进料圈、所述第三进料圈、所述第四进料圈及所述第五进料圈上； 所述第一进料圈位于所述底盘的中心轴线上。 2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述第一出料端位于所述底盘的中心轴线上。 3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述第一进料圈上的所述进料端的数量为1个，所述第二进料圈上的所述进料端的数量为8个，所述第三进料圈上的所述进料端的数量为8个，所述第四进料圈上的所述进料端的数量为16个，所述第五进料圈上的所述进料端的数量为12个。 4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述多晶硅还原炉的底盘还包括：第二出料端； 所述第二出料端设置于所述底盘上，所述第二出料端位于所述第五电极圈远离所述第五进料圈的一侧。 5.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述多晶硅还原炉的底盘还包括：连接件； 所述连接件连接所述底盘与多晶硅还原炉的炉筒。 6.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括权利要求1-5中任意一项所述的多晶硅还原炉的底盘。