FBAR滤波器及其制造方法
本发明提供了一种FBAR滤波器及其制造方法，提供一基底结构，其包括支撑台以及位于支撑台的第一表面上的第一支撑柱和第二支撑柱，在支撑台上形成底电极，底电极还延伸覆盖第一支撑柱，在压电层上形成顶电极，顶电极还延伸覆盖第二支撑柱，从而便于底电极和顶电极的形成，以及两者之间的相隔离。进一步的，在支撑台中形成第一开口，第一开口贯穿支撑台，在第二表面形成第一封堵层以封闭第一开口而形成第一空腔，在第一支撑柱和第二支撑柱上形成第二封堵层以封闭第一支撑柱和第二支撑柱之间的间隔而形成第二空腔，从而能够可靠地形成空腔，便于底电极和顶电极的悬空。由此，方便、可靠地制备出FBAR滤波器。
发明专利
CN202311781368.1
2023-12-22
CN117691966A
2024-03-12
H03H9/54(2006.01)
唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
周斌
300457 天津市滨海新区信环西路19号2号楼2701-3室
上海思捷知识产权代理有限公司
郑玮
天津;12
1.一种FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述FBAR滤波器的制造方法包括： 提供基底结构，所述基底结构包括支撑台以及位于所述支撑台的第一表面上的第一支撑柱和第二支撑柱； 在所述支撑台上形成底电极，所述底电极还延伸覆盖所述第一支撑柱； 形成压电层，所述压电层覆盖所述支撑台上的所述底电极； 在所述压电层上形成顶电极，所述顶电极还延伸覆盖所述第二支撑柱； 在所述支撑台中形成第一开口，所述第一开口自所述支撑台的第二表面延伸至所述第一表面，所述第二表面和所述第一表面相对； 在所述第二表面形成第一封堵层以封闭所述第一开口而形成第一空腔；以及， 在所述第一支撑柱和所述第二支撑柱上形成第二封堵层以封闭所述第一支撑柱和所述第二支撑柱之间的间隔而形成第二空腔。 2.如权利要求1所述的FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，所述提供基底结构包括： 提供衬底；以及， 刻蚀所述衬底，以形成所述基底结构； 其中，所述第一支撑柱和所述第二支撑柱位于所述第一表面的相对两侧。 3.如权利要求1所述的FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，在形成所述底电极之前，所述FBAR滤波器的制造方法还包括： 形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述支撑台的所述第一表面； 其中，所述底电极覆盖部分所述第一钝化层并且暴露出与所述第二支撑柱相接的部分所述第一钝化层。 4.如权利要求1所述的FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，在形成所述顶电极之后，所述FBAR滤波器的制造方法还包括： 形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述压电层上的所述顶电极； 其中，所述第二钝化层的表面低于所述第一支撑柱上的所述底电极的表面，所述第二钝化层的表面低于所述第二支撑柱上的所述顶电极的表面。 5.如权利要求1～4中任一项所述的FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，通过覆膜工艺或者键合工艺形成所述第一封堵层；通过覆膜工艺或者键合工艺形成所述第二封堵层。 6.如权利要求1～4中任一项所述的FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，通过双面覆膜工艺或者双面键合工艺同时形成所述第一封堵层和所述第二封堵层。 7.如权利要求1～4中任一项所述的FBAR滤波器的制造方法，其特征在于，在形成所述第二封堵层之后，所述FBAR滤波器的制造方法还包括： 在所述第二封堵层中形成第二开口以及第三开口，所述第二开口暴露出部分所述底电极，所述第三开口暴露出部分所述顶电极；以及， 在所述第二开口和所述第三开口中分别形成第一电极引出结构和第二电极引出结构，所述第一电极引出结构和所述底电极电连接，所述第二电极引出结构和所述顶电极电连接。 8.一种FBAR滤波器，其特征在于，所述FBAR滤波器包括： 基底结构，所述基底结构包括支撑台以及位于所述支撑台的第一表面上的第一支撑柱和第二支撑柱，所述支撑台中形成第一开口，所述第一开口自所述支撑台的第二表面延伸至所述第一表面，所述第二表面和所述第一表面相对； 底电极，所述底电极位于所述支撑台上，并延伸覆盖所述第一支撑柱； 压电层，所述压电层覆盖所述支撑台上的所述底电极； 顶电极，所述顶电极覆盖部分所述压电层，并延伸覆盖所述第二支撑柱； 第一封堵层，所述第一封堵层覆盖所述第二表面并封闭所述第一开口而形成第一空腔；以及， 第二封堵层，所述第二封堵层位于所述第一支撑柱和所述第二支撑柱上并封闭所述第一支撑柱和所述第二支撑柱之间的间隔而形成第二空腔。 9.如权利要求8所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述FBAR滤波器还包括： 第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述支撑台的所述第一表面，所述底电极覆盖部分所述第一钝化层并且暴露出与所述第二支撑柱相接的部分所述第一钝化层；以及， 第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述压电层上的所述顶电极，所述第二钝化层的表面低于所述第一支撑柱上的所述底电极的表面，所述第二钝化层的表面低于所述第二支撑柱上的所述顶电极的表面。 10.如权利要求8或9所述的FBAR滤波器，其特征在于，所述FBAR滤波器还包括： 第一电极引出结构，所述第一电极引出结构穿过所述第二封堵层和所述底电极电连接；以及， 第二电极引出结构，所述第二电极引出结构穿过所述第二封堵层和所述顶电极电连接。