一种光刻图案预测方法、装置、电子设备和可读存储介质
本申请涉及光刻领域，公开了一种光刻图案预测方法、装置、电子设备和可读存储介质，包括：通过多个相同的第一图案、第一图案的第一关键尺寸量测值，确定关键尺寸预测值对掩膜位置的第一分布模型；多个第一图案在掩膜的不同位置；根据第一分布模型、曝光强度和关键尺寸关系，确定曝光强度对掩膜全局位置的第二分布模型；根据第二分布模型，确定多个各不相同的第二图案在掩膜所在位置处的光强分布模型；通过光强分布模型建立光刻胶模型；利用第二图案的第二关键尺寸量测值校正光刻胶模型，得到校正后光刻胶模型；利用校正后光刻胶模型预测光刻图案。本申请可以预测掩膜尺寸量级的长程效应，提升模型精度和图案预测精度，又不会明显影响计算速度。
发明专利
CN202311753804.4
2023-12-19
CN117666275A
2024-03-08
G03F1/36(2012.01)
华芯程(杭州)科技有限公司
请求不公布姓名
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北京集佳知识产权代理有限公司
崔俊红
浙江;33
1.一种光刻图案预测方法，其特征在于，包括： 通过多个相同的第一图案、所述第一图案的第一关键尺寸量测值，确定关键尺寸预测值对掩膜位置的第一分布模型；多个所述第一图案在掩膜的不同位置； 根据所述第一分布模型、曝光强度和关键尺寸关系，确定曝光强度对掩膜全局位置的第二分布模型； 根据所述第二分布模型，确定多个各不相同的第二图案在掩膜所在位置处的光强分布模型； 通过所述光强分布模型建立光刻胶模型； 利用所述第二图案的第二关键尺寸量测值校正所述光刻胶模型，得到校正后光刻胶模型； 利用所述校正后光刻胶模型预测光刻图案。 2.如权利要求1所述的光刻图案预测方法，其特征在于，通过多个相同的第一图案、所述第一图案的第一关键尺寸量测值，确定关键尺寸预测值对掩膜位置的第一分布模型包括： 筛选所述第一图案； 获取在掩膜不同位置的所述第一图案的所述第一关键尺寸量测值； 拟合关键尺寸预测值对掩膜位置的第三分布模型；所述第三分布模型包括二元多项式函数； 通过关于关键尺寸预测值、所述第一关键尺寸量测值的损失函数，确定所述二元多项式函数中的参数的值； 将所述参数的值带入所述第三分布模型，得到所述第一分布模型。 3.如权利要求2所述的光刻图案预测方法，其特征在于，所述第一分布模型为： 其中，(0,0)为掩膜中心处的位置坐标，(x,y)为以掩膜中心为基准的掩膜坐标，SCD(x,y)为掩膜坐标(x,y)处的关键尺寸预测值，SCD(0,0)为掩膜中心(0,0)处的关键尺寸预测值，P为二元多项式函数。 4.如权利要求3所述的光刻图案预测方法，其特征在于，通过关于关键尺寸预测值、所述第一关键尺寸量测值的损失函数，确定所述二元多项式函数中的参数的值包括： 确定所述损失函数；所述损失函数为： cost＝∑x，y|SCD(x,y)-WCD(x,y)|2； 其中，SCD(x,y)为掩膜坐标(x,y)处的关键尺寸预测值，WCD(x,y)为第一图案在掩膜坐标(x,y)处第一关键尺寸量测值，cost为损失函数的值； 确定当损失函数的值最小时，二元多项式函数中的参数的值。 5.如权利要求3所述的光刻图案预测方法，其特征在于，根据所述第一分布模型、曝光强度和关键尺寸关系，确定曝光强度对掩膜全局位置的第二分布模型包括： 确定所述曝光强度和关键尺寸关系，所述曝光强度和关键尺寸关系为： 其中，I(0,0)为掩膜中心(0,0)处的曝光强度，I(x,y)为掩膜坐标(x,y)处的曝光强度，k为曝光剂量斜率常数，SCD(x,y)为掩膜坐标(x,y)处的关键尺寸预测值，SCD(0,0)为掩膜中心(0,0)处的关键尺寸预测值； 将所述第一分布模型代入所述曝光强度和关键尺寸关系，得到所述第二分布模型；所述第二分布模型为： 其中，I(0,0)为掩膜中心(0,0)处的曝光强度，I(x,y)为掩膜坐标(x,y)处的曝光强度，k为曝光剂量斜率常数，P为二元多项式函数。 6.如权利要求5所述的光刻图案预测方法，其特征在于，多个各不相同的第二图案在掩膜所在位置处的光强分布模型为： 其中，Ii(0,0)为第i个第二图案在掩膜中心(0,0)处的曝光强度，Ii(xi,yi)为第i个第二图案在掩膜所在位置(xi,yi)处的曝光强度，k为曝光剂量斜率常数，P为二元多项式函数。 7.如权利要求6所述的光刻图案预测方法，其特征在于，所述光刻胶模型为： 其中，Ri(xi,yi)为第i个第二图案的光刻胶图像，Fj为第j个光刻胶模型项，Fj包含一个或多个参数，cj为Fj对应的线性系数，T为光刻胶模型阈值。 8.一种光刻图案预测装置，其特征在于，包括： 第一确定模块，用于通过多个相同的第一图案、所述第一图案的第一关键尺寸量测值，确定关键尺寸预测值对掩膜位置的第一分布模型；多个所述第一图案在掩膜的不同位置； 第二确定模块，用于根据所述第一分布模型、曝光强度和关键尺寸关系，确定曝光强度对掩膜全局位置的第二分布模型； 第三确定模块，用于根据所述第二分布模型，确定多个各不相同的第二图案在掩膜所在位置处的光强分布模型； 建立模块，用于通过所述光强分布模型建立光刻胶模型； 校正模块，用于利用所述第二图案的第二关键尺寸量测值校正所述光刻胶模型，得到校正后光刻胶模型； 预测模块，用于利用所述校正后光刻胶模型预测光刻图案。 9.一种电子设备，其特征在于，包括： 存储器，用于存储计算机程序； 处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述光刻图案预测方法的步骤。 10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述光刻图案预测方法的步骤。