一种InAgGa合金靶材及其制备方法
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一种InAgGa合金靶材及其制备方法

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本发明公开了一种InAgGa合金靶材及其制备方法,属于靶材加工技术领域。该方法通过模具熔炼一体化成型法直接制备旋转靶材产品,该产品力学强度好,致密度高,纯度高,均匀度好,并且在制备过程中无需进行绑定,该产品可直接进行后续铜化以及硒化制备Ag掺杂的铜铟镓硒薄膜,实用性强。

发明专利

CN202311730882.2

2023-12-15

CN117644197A

2024-03-05

B22D19/08(2006.01)

先导薄膜材料(广东)有限公司

余飞;黄宇彬;童培云

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区

广州三环专利商标代理有限公司

宋静娜

广东;44

1.一种InAgGa合金靶材的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)设置一模具,所述模具设有中空的内衬管和设置在内衬管外围的外模管,内衬管和外模管通过底座密闭连接,所述模具的内衬管和外模管间存在空腔,所述空腔底部连接一浇道; (2)将In料和Ga料熔化并混合形成InGa熔体,随后加热至200~240℃并加入Ag料继续混合,得到InAgGa熔体; (3)在模具的内衬管外侧面背铟,预热模具至170~200℃,随后保持温度并将InAgGa熔体通过浇道从底部浇注至模具中,待浇注完成后,自下而上向内衬管中注入冷却液使InAgGa熔体凝固,脱模,即得所述InAgGa合金靶材。 2.如权利要求1所述InAgGa合金靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,所述内衬管为不锈钢管,内径为124~126mm,外径为133~134mm;所述外模管为铸铁管,内径为165~170mm;所述浇道为不锈钢管道,内径为10~25mm。 3.如权利要求1所述InAgGa合金靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,In料的纯度为4N以上,Ga料的纯度为4N以上,Ag料的纯度为4N以上。 4.如权利要求1所述InAgGa合金靶材的制备方法,其特征在于,所述InAgGa熔体中,In的质量百分含量>90wt%,Ag的质量百分含量>5wt%。 5.如权利要求1所述InAgGa合金靶材的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,冷却液为水,所述水流量为3~5m3/h,所述InAgGa熔体凝固的降温凝固速率为30~50℃/min。 6.如权利要求1~5任一项所述InAgGa合金靶材的制备方法制备的InAgGa合金靶材。
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