一种可提高碳化硅一级品率的碳化硅冶炼炉
本发明提供了一种可提高碳化硅一级品率的碳化硅冶炼炉，包括炉底，在炉底上方四周利用耐火砖围成并用水泥包覆密封的环保密封炉墙，其中，炉底由具有微通道结构的耐火砖制成，冶炼炉还包括：在炉底下层设置的导气道。本申请炉底和炉顶区域铺设大粒径物料，使底部物料间能够形成气体排放的通道，确保有害气体顺利通过炉底耐火砖层的微通道排出，炉墙邻近位置处铺设小粒径物料，使向此方向流动的有害气体穿透受阻被迫向上或向下排放至尾气收集系统内，从而提升了密封式冶炼炉的透气性，降低了产品的杂质含量，提高了产品的一级品率。
发明专利
CN202311669195.4
2023-12-07
CN117663781A
2024-03-08
F27D1/00(2006.01)
宁夏金海兴昇碳化硅有限公司
杨天;彭瑞;张光礼
753600 宁夏回族自治区银川市惠农区红果子工业园区管委会楼内
宁夏和信汇志知识产权代理有限公司
安少妮
宁夏;64
1.一种可提高碳化硅一级品率的碳化硅冶炼炉，包括炉底(1)，在炉底上方四周利用耐火砖围成并用水泥包覆密封的环保密封炉墙(2)，其特征在于， 所述炉底(1)由包含微通道(111)的耐火砖(11)制成，微通道(111)从耐火砖(11)的顶面贯通至耐火砖(11)的底面，微通道(111)的直径为200μm～300μm，耐火砖(11)中的微通道(111)的密度为300个/cm2～350个/cm2； 所述冶炼炉还包括：在所述炉底(1)下层设置的导气道(112)，导气道(112)由横向设置在包含微通道(111)的耐火砖(11)上的通孔组成，导气道与微通道(111)连通。 2.如权利要求1所述的冶炼炉，其特征在于，所述导气道(112)与尾气回收系统(4)连通。 3.一种碳化硅冶炼的装炉方法，其特征在于，利用如权利要求1～3任一所述冶炼炉，装炉区域分为保温料区域(55)、电阻料区域(56)、第一区域(51)、第二区域(52)、第三区域(53)、第四区域(54)，所述第一区域(51)为炉底区域，第二区域(52)为炉顶区域，第三区域(53)为邻近炉墙区域，第四区域(54)为冶炼炉内除第一区域(51)、第二区域(52)、第三区域(53)、保温料区域(55)、电阻料区域(56)外的其他区域； 其中，在第一区域(51)和第二区域(52)铺设的碳化硅冶炼原料的粒径大于第三区域(53)、第四区域(54)碳化硅冶炼原料的粒径。 4.如权利要求3所述的装炉方法，其特征在于，在第四区域(54)铺设的碳化硅冶炼原料的粒径小于第三区域(53)铺设的碳化硅冶炼原料的粒径。 5.如权利要求4所述的装炉方法，其特征在于，所述第一区域(51)装炉的碳化硅冶炼原料中碳质原料的粒径是3mm～4mm，硅质原料的粒径是6mm～10mm； 第二区域(52)装炉的碳化硅冶炼原料中碳质原料的粒径是3mm～4mm，硅质原料的粒径是6mm～10mm； 第三区域(53)装炉的碳化硅冶炼原料中碳质原料的粒径＜2mm，硅质原料的粒径＜1mm； 第四区域(54)装炉的碳化硅冶炼原料中碳质原料的粒径为2mm～3mm，硅质原料的粒径为1mm～6mm。 6.如权利要求5所述的装炉方法，其特征在于，所述碳质原料是无烟煤，所述硅质原料是二氧化硅。 7.如权利要求5所述的装炉方法，其特征在于，所述硅质原料中，SiO2含量≥98％。 8.如权利要求5所述的装炉方法，其特征在于，所述碳质原料中，固定碳含量﹥80％，灰分含量为3％～10％。