一种IHP SAW滤波器及射频前端
本发明提供了一种IHP SAW滤波器及射频前端，涉及声表面波器件领域，包括：由上至下依次设置叉指电极层、压电薄膜、介质层以及衬底载体；所述叉指电极层上设有叉指电极和至少一个假指；所述叉指电极包括多个指条，每一假指与一指条相对设置；相对设置的假指与指条之间具有凹槽；所述凹槽的底面与所述压电薄膜层上表面间的距离，不小于所述压电薄膜的二分之一厚度，并且，所述底面位于所述介质层的下表面之上；所述凹槽构成相对设置的假指与指条之间的间隙；声波在所述间隙内的声速，小于激励区域内的声速；所述激励区域为指条交叉的区域。本发明能够有效抑制IHP SAW的横向模式，提升滤波器的整体性能。
发明专利
CN202311656820.1
2023-12-06
CN117353702A
2024-01-05
H03H9/64(2006.01)
深圳新声半导体有限公司
王博;唐供宾;邹洁
518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801
北京高沃律师事务所
袁晓哲
广东;44
1.一种IHP SAW滤波器，其特征在于，包括：由上至下依次设置叉指电极层、压电薄膜、介质层以及衬底载体； 所述叉指电极层上设有叉指电极和至少一个假指； 所述叉指电极包括多个指条，每一假指与一指条相对设置； 相对设置的假指与指条之间具有凹槽；所述凹槽的底面与所述压电薄膜层上表面间的距离，不小于所述压电薄膜的二分之一厚度，并且，所述底面位于所述介质层的下表面之上；所述凹槽构成相对设置的假指与指条之间的间隙；声波在所述间隙内的声速，小于激励区域内的声速；所述激励区域为指条交叉的区域。 2.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，多个指条的长度相等，且多个假指的长度相等。 3.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，任两个凹槽的深度相同。 4.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，至少两个凹槽的深度互不相同。 5.根据权利要求3-4任一项所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，所述间隙的长度为0.3λ，λ为声波波长。 6.根据权利要求5所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，所述凹槽是通过刻蚀所述压电薄膜得到的。 7.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，所述介质层键合于所述衬底载体上； 所述介质层为声学反射层； 所述衬底载体为温度补偿层。 8.根据权利要求1所述的IHP SAW滤波器，其特征在于，所述叉指电极层与所述压电薄膜共同作用以实现电信号与声学信号的转换。 9.一种射频前端，其特征在于，所述射频前端包括权利要求1-8任一项所述IHP SAW滤波器。