ADC内部参考电源的校正方法、MCU芯片和存储介质
本发明公开了一种ADC内部参考电源的校正方法、MCU芯片和存储介质，应用在MCU芯片中，所述MCU芯片具有ADC单元，其中，所述一种ADC内部参考电源的校正方法包括步骤：所述ADC单元在所述ADC单元的内部参考电源下工作时，获取输入电压的电压值；通过所述输入电压的电压值、所述ADC单元的内部参考电源的电压值之间和所述第一采样数据之间的比例关系计算得到所述ADC单元的内部参考电源的电压值。本申请通过采样数据的方式，以及所述输入电压和所述ADC单元的内部参考电源的电压的比例关系，反推出所述ADC单元的内部参考电源的电压值，达到得到准确的ADC单元的内部参考电源的效果。
发明专利
CN202311582274.1
2023-11-22
CN117614449A
2024-02-27
H03M1/10(2006.01)
深圳市航顺芯片技术研发有限公司
刘吉平;瞿驰;王翔;郑增忠
518004 广东省深圳市罗湖区莲塘街道仙湖社区益清路61号航顺芯片大厦101
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
刘文求
广东;44
1.一种ADC内部参考电源的校正方法，应用在MCU芯片中，所述MCU芯片具有ADC单元，其特征在于，包括步骤： 所述ADC单元在所述ADC单元的内部参考电源下工作时，获取输入电压的电压值； 所述ADC单元的采集模块通过采集通道选择器对所述输入电压进行采样，得到第一采样数据； 通过所述输入电压的电压值、所述ADC单元的内部参考电源的电压值之间和所述第一采样数据之间的比例关系计算得到所述ADC单元的内部参考电源的电压值。 2.根据权利要求1所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于， 所述输入电压为所述MCU芯片内部的供电电压或外部输入电压。 3.根据权利要求2所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，通过所述输入电压的电压值、所述ADC单元的内部参考电源的电压值之间和所述第一采样数据之间的比例关系计算得到所述ADC单元的内部参考电源的电压值的步骤，包括步骤： 通过公式计算得到所述ADC单元的内部参考电源的电压值，其中，V1为所述输入电压的电压值，Vrefp为所述ADC单元的内部参考电源的电压值，data为所述第一采样数据，n为所述ADC单元的分辨率的绝对值。 4.根据权利要求2所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述获取输入电压的电压值的步骤，具体包括步骤： 当所述输入电压为所述MCU芯片内部的供电电压时； 校准并获取所述MCU芯片内部的供电电压。 5.根据权利要求4所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述校准并获取所述MCU芯片内部的供电电压的步骤，具体包括步骤： 所述MCU芯片的一个或多个引脚与外部电路连接； 控制所述MCU芯片对所述外部电路提供电压输出； 所述外部电路对所述MCU芯片的电压输出进行监测和调整； 获取调整后的所述MCU芯片输出的电压的值。 6.根据权利要求4所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述校准并获取所述MCU芯片内部的供电电压的步骤，具体包括步骤： 使所述ADC单元在所述ADC单元的外部参考电源下工作； 所述ADC单元的采集模块通过所述采集通道选择器对所述输入电压进行采样，得到第二采样数据； 根据所述第二采样数据和所述外部参考电源对所述输入电压进行校准； 使所述ADC单元在所述ADC单元的内部参考电源下工作。 7.根据权利要求2所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，所述获取输入电压的电压值的步骤，具体包括步骤： 当所述输入电压为外部输入电压时； 获取外部输入电压的电压值。 8.根据权利要求1所述的ADC内部参考电源的校正方法，其特征在于，还包括步骤：将所述ADC单元的内部参考电源的电压值存储至所述MCU芯片的闪存存储器中。 9.一种MCU芯片，其特征在于，所述MCU芯片执行时实现权利要求1至8中任一项所述的ADC内部参考电源的校正方法的步骤。 10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的ADC内部参考电源的校正方法的步骤。