MOS驱动电路

摘要：

本发明申请提供一种MOS驱动电路，包括：第一电平信号输入端、第二电平信号输入端、第三电平信号输入端、电源端和负载端，所述第一电平信号输入端分别与第一MOS单元、第二MOS单元连接，所述电源端和负载端之间连接有第三MOS单元和第四MOS单元，所述第二电平信号输入端与所述第三MOS单元连接，所述第三电平信号输入端与第五MOS单元连接，所述第五MOS单元与所述第一MOS单元连接，所述第二MOS单元、第四MOS单元和负载端均与第六MOS单元连接。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN202311579782.4

申请日期：2023-11-23

公开/公告号：CN117595852A

公开/公告日：2024-02-23

主分类号：H03K17/687(2006.01)

申请/专利权人:深圳市今朝时代股份有限公司

发明/设计人:田振;杨国庆;李卫东;张俊峰

主申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区福海街道展城社区重庆路富尔达厂区厂房三栋401

专利代理机构:深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人:李兰兰

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1.一种MOS驱动电路，其特征在于，包括：第一电平信号输入端、第二电平信号输入端、第三电平信号输入端、电源端和负载端，所述第一电平信号输入端分别与第一MOS单元、第二MOS单元连接，所述电源端和负载端之间连接有第三MOS单元和第四MOS单元，所述第二电平信号输入端与所述第三MOS单元连接，所述第三电平信号输入端与第五MOS单元连接，所述第五MOS单元与所述第一MOS单元连接，所述第二MOS单元、第四MOS单元和负载端均与第六MOS单元连接。 2.根据权利要求1所述的MOS驱动电路，其特征在于，所述第一MOS单元和所述第二MOS单元为PMOS管，所述第三MOS单元、第四MOS单元、第五MOS单元和第六MOS单元为NMOS单元。 3.根据权利要求2所述的MOS驱动电路，其特征在于，所述第一MOS单元包括MOS管Q1，所述第二MOS单元包括MOS管Q2，所述第三MOS单元包括MOS管Q3，所述第四MOS单元包括MOS管Q4，所述第五MOS单元包括MOS管Q5，所述第六MOS单元包括MOS管Q6。 4.根据权利要求3所述的MOS驱动电路，其特征在于，所述第一电平信号输入端分别与所述MOS管Q1和所述MOS管Q2的源极连接，所述MOS管Q1的栅极与所述MOS管Q5的漏极连接，所述MOS管Q1的漏极与所述MOS管Q2的栅极连接，所述MOS管Q2的漏极与所述MOS管Q6的漏极连接，所述第三电平信号输入端与MOS管Q5的栅极连接，所述MOS管Q5的源极接地连接。 5.根据权利要求4所述的MOS驱动电路，其特征在于，所述MOS管Q1的漏极与所述MOS管Q2的栅极之间连接有电阻R5。 6.根据权利要求4所述的MOS驱动电路，其特征在于，所述第一电平信号输入端串联有二极管D1，所述二极管D1的正极与所述第一电平信号输入端连接，所述二极管D1的负极分别与所述MOS管Q1和MOS管Q2连接。 7.根据权利要求4所述的MOS驱动电路，其特征在于，所述MOS管Q3的栅极与所述第三电平信号输入端连接，所述MOS管Q3的源极与电源端连接，所述MOS管Q4的漏极与所述MOS管Q3的漏极连接，所述MOS管Q4的源极与所述负载端连接，所述MOS管Q4的栅极分别与所述MOS管Q2和MOS管Q6的漏极连接。 8.根据权利要求6所述的MOS驱动电路，其特征在于，所述MOS管Q4的栅极与所述MOS管Q6的漏极之间设有电阻R3。