一种BAW滤波器及其制备方法

摘要：

本发明提供了一种BAW滤波器及其制备方法，首先通过在临时衬底的预设区域形成介质层，之后再依次形成功能膜层中的膜层及键合目标衬底，最后去除介质层和临时衬底即可形成Frame结构，此时功能膜层部分的边缘区域与目标衬底之间的间距大于功能膜层部分的中间区域与目标衬底之间的间距，相比较现有技术的方案而言，本发明可以很容易的在临时衬底上形成所需图形和尺寸的介质层，之后基于介质层在制备完BAW滤波器的其它结构后即可形成所需的Frame结构。并且功能膜层中的底电极层、压电层和顶电极层是一次性连续沉积形成的，不存在界面问题，通过键合目标衬底的方式即可形成空腔区域，节省了一步释放空腔的工序，可降低制备成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN202311579746.8

申请日期：2023-11-22

公开/公告号：CN117394821A

公开/公告日：2024-01-12

主分类号：H03H9/56(2006.01)

申请/专利权人:深圳新声半导体有限公司%北京新声半导体有限公司

发明/设计人:王友良;邹洁;唐供宾

主申请人地址:518049 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801;

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司

代理人:姚文杰

国别省市代码:广东;44

权利要求：

1.一种BAW滤波器的制备方法，其特征在于，所述BAW滤波器的制备方法包括： 提供一临时衬底； 在所述临时衬底的预设区域形成介质层，所述预设区域基于所述BAW滤波器的工作区域所确定； 在所述介质层背离所述临时衬底的一侧形成所述BAW滤波器的功能膜层，所述功能膜层至少包括层叠设置的底电极层、压电层和顶电极层； 在所述功能膜层背离所述临时衬底的一侧键合目标衬底，所述目标衬底与所述功能膜层之间具有空腔区域，所述空腔区域在所述目标衬底上的正投影至少完全覆盖所述工作区域在所述目标衬底上的正投影； 去除所述临时衬底和所述介质层，所述功能膜层包括位于所述工作区域内的功能膜层部分，所述功能膜层部分包括边缘区域和中间区域，所述边缘区域与所述目标衬底之间的间距大于所述中间区域与所述目标衬底之间的间距。 2.根据权利要求1所述的BAW滤波器的制备方法，其特征在于，所述介质层为热氧化层，所述在所述临时衬底的预设区域形成介质层，包括： 基于热氧化工艺在所述临时衬底的预设区域形成所述热氧化层。 3.根据权利要求1所述的BAW滤波器的制备方法，其特征在于，所述在所述临时衬底的预设区域形成介质层，包括： 在所述临时衬底的预设区域形成厚度取值范围为50nm-200nm的介质层。 4.根据权利要求1所述的BAW滤波器的制备方法，其特征在于，所述在所述临时衬底的预设区域形成介质层，包括： 在所述临时衬底的预设区域形成侧壁角度取值范围为10°-90°的介质层。 5.根据权利要求1-4任一项所述的BAW滤波器的制备方法，其特征在于，所述在所述介质层背离所述临时衬底的一侧形成所述BAW滤波器的功能膜层，包括： 在所述介质层背离所述临时衬底的一侧依次形成顶电极层、压电层、底电极层和保护层。 6.根据权利要求5所述的BAW滤波器的制备方法，其特征在于，所述在所述介质层背离所述临时衬底的一侧形成所述BAW滤波器的功能膜层，还包括： 对所述保护层和所述底电极层进行刻蚀处理，暴露出所述压电层的一侧边缘区域。 7.根据权利要求6所述的BAW滤波器的制备方法，其特征在于，所述在所述功能膜层背离所述临时衬底的一侧键合目标衬底，包括： 形成键合层，所述键合层具有凹槽区域，所述凹槽区域基于所述空腔区域所确定； 在所述键合层背离所述临时衬底的一侧键合所述目标衬底。 8.根据权利要求7所述的BAW滤波器的制备方法，其特征在于，在去除所述临时衬底和所述介质层之后，所述BAW滤波器的制备方法还包括： 在所述顶电极层背离所述目标衬底的一侧形成钝化层。 9.根据权利要求8所述的BAW滤波器的制备方法，其特征在于，所述BAW滤波器的制备方法还包括： 对所述钝化层和所述顶电极层进行刻蚀处理，暴露出所述压电层的另一侧边缘区域。 10.一种BAW滤波器，其特征在于，所述BAW滤波器包括： 目标衬底； 位于所述目标衬底一侧的所述BAW滤波器的功能膜层，所述功能膜层至少包括层叠设置的底电极层、压电层和顶电极层，所述目标衬底与所述功能膜层之间具有空腔区域，所述空腔区域在所述目标衬底上的正投影至少完全覆盖所述BAW滤波器的工作区域在所述目标衬底上的正投影； 其中，所述功能膜层包括位于所述工作区域内的功能膜层部分，所述功能膜层部分包括边缘区域和中间区域，所述边缘区域与所述目标衬底之间的间距大于所述中间区域与所述目标衬底之间的间距。