一种低压复位电路及复位方法
本发明属于电路连接技术领域，公开了一种低压复位电路，包括：基准电压产生电路及复位方法，基准电压产生电路的输出端与反相器的输入端相连，反相器输出端作为低压复位信号输出端。本发明利用MOS管匹配原理，使基准产生电路的MN0的W/L值与CMOS反相器的MN0的W/L一致，使两者随温度变化VTH变化的特性趋于一致，则整体低压复位电压阈值电压所温度变化的影响得到一定的补偿。本发明相对传统的低压复位电路来说，具有结构简单，成本低的优点，适用于各类成本敏感的MCU设计中，另一种低压复位电路在原基础上提高低压复位阈值电压的温度特性，其温度特性接近传统的低压复位电路，具有成本低，功耗低，性能好的优点。
发明专利
CN202311537911.3
2023-11-17
CN117459044A
2024-01-26
H03K17/22(2006.01)
无锡芯霖华科技有限公司
唐建伟;陈虎;钱晓浩;沙绍栋;黄铭;林日兴;张辉霞;刘琳;潘维;朱明
214072 江苏省无锡市滨湖区无锡蠡园开发区滴翠路100号(创意园)标准厂房10号楼3层302
南京业腾知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
范凯
江苏;32
1.一种低压复位电路，其特征在于，包括： 基准电压产生电路，基准电压产生电路的输出端与反相器的输入端相连，反相器输出端作为低压复位信号输出端。 2.如权利要求1所述的低压复位电路，其特征在于，所述反相器由的连接关系：MP0、MP1、……、MPn n-1个PMOS形成串联连接关系，CMOS开关K0、K1、……、Kn与对应的MP0、MP1、……、MPn形成并联连接关系。 3.如权利要求1所述的低压复位电路，其特征在于，所述低压复位电路的n-1个NMOS形成并联连接关系，NMOS开关KN0、KN1、……、KNn与对应的MN0、MN1、……、MNn形成串联连接关系。 4.如权利要求3所述的低压复位电路，其特征在于，所述基准电压产生电路连接关系：NMOS管MN1与电阻形成串联关系，MN0的栅端与R0的负端及MN1的漏端相接。 5.如权利要求2所述的低压复位电路，其特征在于，所述的MP0的漏端和栅端相连，且与MN0的漏端相连，电阻R0的正端与PMOS MP1的漏端相连。 6.如权利要求1所述的低压复位电路，其特征在于，所述基准电压产生电路的连接关系： 运放的输出端与PMOS管MP0、MP1、MP2、MP3的栅端相连；运放的负输入端与MP4的源端和MP0的漏端相连；运放的正输入端与MP2的源端和MP5的漏端相连；NMOS管M0的栅端与漏端相连，并与MP1的漏端相连；电阻R0的正端与MP3的漏端相连，负端与地相连。 7.一种低压复位方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： a)利用基准电压产生电路产生一个稳定的基准电压； b)将所述稳定的基准电压送至反相器的输入端，确保低噪声传输； c)通过反相器快速输出低压复位信号，确保系统的即时响应。 8.如权利要求7所述的低压复位方法，其特征在于，所述方法的反相器采用高电导率的MP0、MP1、……、MPn的n-1个PMOS进行串联连接，以保证低电阻路径；并使用低漏电流的CMOS开关K0、K1、……、Kn与对应的MP0、MP1、……、MPn形成并联连接。 9.如权利要求7所述的低压复位方法，其特征在于，所述方法在复位过程中使用低电阻的n-1个NMOS进行并联连接，提供更快的响应速度；其中NMOS开关KN0、KN1、……、KNn与对应的MN0、MN1、……、MNn形成低电容的串联连接关系。 10.如权利要求7所述的低压复位方法，其特征在于，所述方法中的基准电压产生电路采用NMOS管MN1与高稳定性电阻形成串联关系，保证基准电压的稳定性和准确性；其中MN0的栅端与R0的负端及MN1的漏端相接，形成低噪声的反馈路径。