一种Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜及制备方法及应用
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一种Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜及制备方法及应用

引用
本发明涉及一种Bi‑GO双掺杂WO3电致变色薄膜及制备方法及应用。该Bi‑GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法,包括以下步骤:将钨酸溶于过氧化氢溶液后得到过氧钨酸溶液,向过氧钨酸溶液中加入含铋元素的物质,含铋元素的物质溶解后得到Bi‑过氧钨酸溶液;向Bi‑过氧钨酸溶液中加入石墨烯基材料纳米片分散液,搅拌加热形成均匀的Bi‑GO‑过氧钨酸溶胶;将Bi‑GO‑过氧钨酸溶胶旋涂到导电玻璃基板,焙烧后,即得。本发明制备的Bi‑GO双掺杂的WO3电致变色薄膜,在0.5M的H2SO4溶液为电解质及在630nm波长条件下,透射率变化可达到85%,着色及褪色时间为1.8s和1.8s,着色效率为65.9cm2/C,超过10000圈循环测试保持稳定。

发明专利

CN202311457658.0

2023-11-03

CN117452732A

2024-01-26

G02F1/1524(2019.01)

郑州大学

郑金友;孙启蒙;李松杰;禹晓梅

450000 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号

郑州晟佳专利代理事务所(普通合伙)

张心龙

河南;41

1.一种Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1):将钨酸溶于过氧化氢溶液后得到过氧钨酸溶液,向过氧钨酸溶液中加入含铋元素的物质,含铋元素的物质溶解后得到Bi-过氧钨酸溶液; 步骤2):向步骤1)得到的Bi-过氧钨酸溶液中加入石墨烯基材料纳米片分散液,搅拌加热形成均匀的Bi-GO-过氧钨酸溶胶; 步骤3):将步骤2)得到的Bi-GO-过氧钨酸溶胶旋涂到导电玻璃基板,焙烧后,即得。 2.根据权利要求1所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2)所述的石墨烯基材料为氧化石墨烯或氧化还原石墨烯。 3.根据权利要求1所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤2)中所述Bi-GO-过氧钨酸溶胶的制备方法为,将石墨烯基材料纳米片分散液加入到所述Bi-过氧钨酸溶液后,在50~100℃条件下搅拌加热4~12h,即得。 4.根据权利要求1所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,石墨烯基材料与钨酸的质量比为0.0001~0.03:1,所述石墨烯基材料纳米片分散液的浓度为0.5~8mg/mL。 5.根据权利要求1所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,所述Bi-过氧钨酸溶液的制备方法为:将含铋元素的物质加入所述过氧钨酸溶液后,密封,在60~100℃下加热4~12h,即得;所述的含铋元素的物质为三氧化二铋、铋粉或硝酸铋中的一种或几种,所述Bi-过氧钨酸溶液中钨原子与铋原子的个数比为1:30,每g所述钨酸对应5~10mL的过氧化氢溶液,所述Bi-过氧钨酸溶液与所述石墨烯基材料纳米片分散液的体积比为10~2:1。 6.根据权利要求1或5所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1)所述的过氧化氢溶液的质量百分比浓度为15~50%,所述过氧钨酸溶液的摩尔浓度为0.1~1M。 7.根据权利要求1所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法,其特征在于,步骤3)所述的导电玻璃基板为氟掺杂氧化锡玻璃基板,所述烘焙的温度为100~600℃,烘焙时间为0~6h。 8.一种Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜,其特征在于,采用权利要求1所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的制备方法制备得到。 9.根据权利要求8所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜,其特征在于,所述Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜的结构为非晶态结构。 10.一种玻璃,其特征在于,所述玻璃内含有权利要求8所述的Bi-GO双掺杂WO3电致变色薄膜,所述玻璃在建筑门窗或玻璃幕墙中的应用。
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