一种MoNb合金靶材的再生方法
本发明涉及一种MoNb合金靶材的再生方法，所述再生方法包括如下步骤：(1)MoNb合金废靶经表面预处理，得到预处理废靶；(2)将步骤(1)所得预处理废靶进行电子束熔炼处理，所得MoNb合金锭材经等离子体球化处理，得到MoNb合金粉体；(3)步骤(2)所得MoNb合金粉体依次经填充振实处理、脱气处理、热等静压处理以及机加工，得到所述MoNb合金靶材。本发明通过将电子束熔炼与等离子体球化工艺相结合，实现了对MoNb合金废靶的回收再利用，制得的MoNb合金靶材致密度较高，能够达到平板显示行业的高性能要求。
发明专利
CN202311442233.2
2023-10-31
CN117358930A
2024-01-09
B22F8/00(2006.01)
宁波江丰电子材料股份有限公司
姚力军;潘杰;吴东青;周友平;李建
315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
北京远智汇知识产权代理有限公司
牛海燕
浙江;33
1.一种MoNb合金靶材的再生方法，其特征在于，所述再生方法包括如下步骤： (1)MoNb合金废靶经表面预处理，得到预处理废靶； (2)将步骤(1)所得预处理废靶进行电子束熔炼处理，所得MoNb合金锭材经等离子体球化处理，得到MoNb合金粉体； (3)步骤(2)所得MoNb合金粉体依次经填充振实处理、脱气处理、热等静压处理以及机加工，得到所述MoNb合金靶材。 2.根据权利要求1所述的再生方法，其特征在于，步骤(1)所述MoNb合金废靶包括溅射镀膜后产生的残靶和/或MoNb合金靶材生产中产生的边角料。 3.根据权利要求1或2所述的再生方法，其特征在于，步骤(1)所述表面预处理包括依次进行的碱洗处理与蒸煮处理； 优选地，所述碱洗处理所用碱液的pH值为8-10； 优选地，所述蒸煮处理所用纯水的温度为70-100℃。 4.根据权利要求1-3任一项所述的再生方法，其特征在于，步骤(2)所述电子束熔炼处理的温度≥2600℃； 优选地，步骤(2)所述电子束熔炼处理的真空度≥1×10-2Pa； 优选地，步骤(2)所述电子束熔炼处理的熔炼功率与熔炼速度之比≥4； 优选地，步骤(2)所述电子束熔炼处理的冷却水温度为20-30℃。 5.根据权利要求1-4任一项所述的再生方法，其特征在于，步骤(2)所述等离子体球化处理的工作载气包括氢气； 优选地，所述工作载气的流量为4-8slpm； 优选地，步骤(2)所述等离子体球化处理的边气包括氢气和/或氩气； 优选地，所述边气的流量为40-60slpm。 6.根据权利要求1-5任一项所述的再生方法，其特征在于，步骤(2)所述等离子体球化处理的送料速率为1-5mm/min； 优选地，步骤(2)所述等离子体球化处理的设备输出功率80-120kW； 优选地，步骤(2)所述等离子体球化处理的温度为2600-3000℃； 优选地，步骤(2)所述MoNb合金粉体的平均粒径为30-100μm。 7.根据权利要求1-6任一项所述的再生方法，其特征在于，步骤(3)所述填充振实处理的振动时间为5-10min； 优选地，步骤(3)所述填充振实处理之后、脱气处理之前还包括包套焊接处理的步骤。 8.根据权利要求1-7任一项所述的再生方法，其特征在于，步骤(3)所述脱气处理的温度为450-700℃； 优选地，步骤(3)所述脱气处理的终点为真空度＜0.003Pa。 9.根据权利要求1-8任一项所述的再生方法，其特征在于，步骤(3)所述热等静压处理的温度为800-1000℃； 优选地，步骤(3)所述热等静压处理的压力为160-200MPa； 优选地，步骤(3)所述热等静压处理的保温保压时间为4-6h。 10.根据权利要求1-9任一项所述的再生方法，其特征在于，所述再生方法包括如下步骤： (1)MoNb合金废靶依次经pH值为8-10的碱液碱洗处理与70-100℃纯水蒸煮处理，得到预处理废靶； (2)将步骤(1)所得预处理废靶在≥2600℃、≥1×10-2Pa以及熔炼功率与熔炼速度之比≥4的条件下进行电子束熔炼处理，冷却水温度为20-30℃，所得MoNb合金锭材经2600-3000℃等离子体球化处理，得到平均粒径为30-100μm的MoNb合金粉体； 所述等离子体球化处理的工作载气包括流量为4-8slpm的氢气，边气包括流量为40-60slpm的氢气和/或氩气；所述等离子体球化处理的送料速率为1-5mm/min，设备输出功率80-120kW； (3)步骤(2)所得MoNb合金粉体依次经填充振实处理5-10min、包套焊接处理、450-700℃脱气处理至真空度＜0.003Pa，然后在800-1000℃、160-200MPa下热等静压处理4-6h，机加工后得到所述MoNb合金靶材。