Low-K晶圆切割保护液、制备方法、用途和切割保护方法
本发明提供了一种用于Low‑K晶圆的水基切割保护液、制备方法、用途、使用该保护液的Low‑K晶圆切割保护方法等，所述保护液包括水溶性聚合物、润湿剂、增溶剂、消泡剂和超纯水，其中通过采用较低分子量的PEO/PEG与低分子量的PVP的混合物，可形成致密的网状分子排布，从而可在晶圆上形成致密的膜层，阻隔了Low‑K晶圆激光切割过程中产生的热量及熔渣。同时在随后刀轮切割中可包裹住切割产生的硅屑，起到悬浮分散颗粒及清洗晶圆的作用。因此该水基切割保护液可以同时应用于Low‑K晶圆的激光切割保护和刀轮切割保护，而无需进行保护液的切换，可以极大地提高了生产效率和降低了生产成本，便于自动化控制和良率控制。
发明专利
CN202311328269.8
2023-10-13
CN117402670A
2024-01-16
C10M173/02(2006.01)
浙江奥首材料科技有限公司
侯军;张楠;褚雨露;于天佳
324012 浙江省衢州市柯城区杜鹃路36号
宁波知坤专利代理事务所(特殊普通合伙)
涂萧恺
浙江;33
1.一种用于Low-K晶圆的水基切割保护液，所述水基切割保护液以质量份计，包括如下组分： 2.如权利要求1所述的水基切割保护液，其特征在于：所述水溶性聚合物的质量份为1-20份。 3.如权利要求1或2所述的水基切割保护液，其特征在于：所述润湿剂的质量份为1-3份。 4.如权利要求1-3任一项所述的水基切割保护液，其特征在于：所述增溶剂的质量份为5-20份。 5.如权利要求1-3任一项所述的水基切割保护液，其特征在于：所述消泡剂的质量份为0.01-1份。 6.如权利要求1-5任一项所述的水基切割保护液的制备方法，所述制备方法包括如下步骤： A1：分别称取所需质量份的水溶性聚合物、润湿剂、增溶剂、消泡剂和超纯水； A2：将PVP加入1/2质量份的超纯水中，搅拌直至溶解完全，得到PVP溶液； A3：将润湿剂、增溶剂和消泡剂加入所述PVP溶液中，充分搅拌，得到混合溶液A； A4：将PEO加入剩余的1/2超纯水中，搅拌直至溶解完全，得到PEO溶液，然后加入PEG，充分搅拌，得到混合溶液B； A5：将混合溶液B加入混合溶液A中，充分搅拌，即得所述水基切割保护液。 7.如权利要求1-5任一项所述的水基切割保护液在Low-K晶圆切割保护中的用途。 8.如权利要求7所述的用途，其特征在于：所述切割为激光切割和刀轮切割。 9.使用权利要求1-5任一项所述的水基切割保护液对Low-K晶圆的切割保护方法，所述方法包括如下步骤： 步骤1：将所述水基切割保护液旋转涂布在Low-K晶圆表面，得到涂覆层； 步骤2：将所述涂覆层干燥成膜，得到保护膜； 步骤3：进行激光切割，在Low-K晶圆上形成沟槽； 步骤4：将所述水基切割保护液与超纯水以质量比1:5-50进行预混，得到预混液； 步骤5：使用刀轮切割进行后续透切操作，自所述沟槽进行切割以形成单个芯片，完成切割操作，其中在切割过程中，使用所述预混液冲洗切割刀轮与晶圆接触处，切割完毕后使用超纯水进行洗涤并干燥充分，即完成所述切割保护处理。 10.如权利要求9所述的切割保护方法，其特征在于：所述步骤1中，所述旋涂速度为500-1500rpm。