InP晶圆切割保护液、制备方法及清洗液和清洗方法
本发明提供了一种用于InP晶圆的切割保护液、其制备方法、使用方法和专用于其的清洗液和清洗方法等，所述保护液包含侧链苯基树脂和复合乳化剂，具有优异的切割保护性能；所述清洗液通过特定表面活性剂和缓蚀剂的使用，能够专用于所述切割保护液的清洗，残留膜小，且能够抑制电极腐蚀。所述切割保护液和清洗液等技术方案可应用到半导体加工领域中，具有广泛的应用前景和推广价值。
发明专利
CN202310778540.1
2023-06-29
CN117070272A
2023-11-17
C10M173/02(2006.01)
浙江奥首材料科技有限公司
侯军;贺剑锋;褚雨露;张楠
324012 浙江省衢州市杜鹃路36号
宁波知坤专利代理事务所(特殊普通合伙)
涂萧恺
浙江;33
1.一种用于InP晶圆的切割保护液，所述切割保护液包括如下组分： 2.如权利要求1所述的切割保护液，其特征在于：所述侧链苯基树脂树脂选自苯乙烯类二元共聚物、苯乙烯类三元共聚物，例如苯乙烯-烯基磺酸共聚物、苯乙烯-烯基磺酸盐共聚物、苯乙烯-烯基磺酸-丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-烯基磺酸-丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸盐共聚物、苯乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯类共聚物、苯乙烯-丙烯酸盐-丙烯酸酯类共聚物中的一种或几种；优选为苯乙烯-烯基磺酸共聚物、苯乙烯-烯基磺酸-丙烯酸酯共聚物、苯乙烯-丙烯酸共聚物、苯乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯类共聚物中的一种或多种。 3.如权利要求1或2所述的切割保护液，其特征在于：所述侧链苯基树脂优选其数均分子量为1000-50000，最优选为3000-10000。 4.如权利要求1-3任一项所述的切割保护液，其特征在于：所述复合乳化剂由质量比1:1.5-5的阴离子乳化剂和非离子乳化剂构成。 5.如权利要求1-4任一项所述的切割保护液的制备方法，所述制备方法包括如下步骤： A1：称取所需量的去离子水； A2：称取所需量的阴离子乳化剂和非离子乳化剂； A3：将上述组分混合均匀搅拌1-2小时，得到混合液； A4：称取所需量的侧链苯基树脂，搅拌下加入到所述混合液中，并持续搅拌2-4小时至得到透明乳液； A5：向所述透明乳液中加入所需量的流平剂，室温下搅拌0.5-1小时直至均匀，即得所述切割保护液。 6.如权利要求1-4任一项所述的切割保护液在在InP晶圆切割保护中的用途。 7.使用权利要求1-4任一项所述的切割保护液对InP晶圆的切割保护方法，所述方法包括如下步骤： B1：将10-50ml保护液滴加到InP晶圆表面，使用匀胶机按照500-1500r/min的速度旋转30-60s； B2：将表面旋涂有保护液的晶圆在65-75℃下烘烤60-90min,固化成膜形成保护层； B3：将表面覆盖有保护层的晶圆进行切割，清洗后进入下一工序。 8.一种专用于权利要求1-4任一项所述的切割保护液的清洗液，以质量份计，所述清洗液包括如下组分： 水溶性表面活性剂5-20 缓蚀剂1-5 超纯水50-80。 9.如权利要求8的所述清洗液的制备方法，该制备方法具体如下：分别称取各个组分，然后将水溶性表面活性剂和缓蚀剂加入到超纯水中，并充分搅拌均匀，然后经0.2μm微孔滤膜过滤，即得所述清洗液。 10.一种使用权利要求8所述清洗液清洗权利要求1-4任一项所述保护液所形成保护层的清洗方法，所述清洗方法包括如下步骤： S1：将涂覆有保护层的晶圆置于装有所述清洗液的清洗槽1中，在50-60℃温度下浸泡15-20min； S2：将晶圆转移置装有所述清洗液的清洗槽2中，在50-60℃温度下浸泡15-20min； S3：将晶圆转移至装有所述清洗液的清洗槽3中，在50-60℃温度下浸泡15-20min； S4：将晶圆转移至喷淋区，使用超纯水将晶圆正面和背面的清洗液清洗彻底； S5：将晶圆转移至气流烘干区，通过热氮气将晶圆背面吹干； S6：将晶圆转移至清洗机中，按照1000-1500r/min的速度旋转120-360s，期间按照400-600mL/min的流速喷淋超纯水至晶圆表面； S7：停止喷淋超纯水，以1500-2000r/min的速度将晶圆旋转120-360s，甩干，完成所述保护层的清洗处理。