一种光掩模、拼接光掩模组以及半导体结构

摘要：

本公开实施例公开了一种光掩模、拼接光掩模组以及半导体结构，其中，所述光掩模，包括：第一掩模板，所述第一掩模板包括第一曝光区域，所述第一曝光区域包括沿第一方向延伸的第一子部和沿第二方向延伸的第二子部，所述第一子部和所述第二子部部分区域重合，以形成交叉结构；所述第一曝光区域包括第一图样，所述第一图样包括第一透光图样和第一非透光图样。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN202310008303.7

申请日期：2023-01-03

公开/公告号：CN118330980A

公开/公告日：2024-07-11

主分类号：G03F1/00(2012.01)

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

发明/设计人:刘志拯

主申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

国别省市代码:安徽;34

权利要求：

1.一种光掩模，其特征在于，包括： 第一掩模板，所述第一掩模板包括第一曝光区域，所述第一曝光区域包括沿第一方向延伸的第一子部和沿第二方向延伸的第二子部，所述第一子部和所述第二子部部分区域重合，以形成交叉结构； 所述第一曝光区域包括第一图样，所述第一图样包括第一透光图样和第一非透光图样。 2.一种拼接光掩模组，其特征在于，包括： 第一掩模板，所述第一掩模板包括第一曝光区域，所述第一曝光区域包括沿第一方向延伸的第一子部和沿第二方向延伸的第二子部，所述第一子部和所述第二子部部分区域重合，以形成交叉结构； 所述第一曝光区域包括第一图样，所述第一图样包括第一透光图样和第一非透光图样； 第二掩模板，所述第二掩模板包括第二曝光区域，所述第二曝光区域包括四条侧边围合形成的第三子部，以及所述第三子部外设置有与每条所述侧边邻接的第四子部； 各所述第四子部沿着与其相邻的所述侧边的延伸方向上的长度小于与其相邻的所述侧边的长度； 所述第二曝光区域包括第二图样，所述第二图样包括第二透光图样和第二非透光图样。 3.根据权利要求2所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第一曝光区域在平行于所述第一掩模板平面的曝光平面上的正投影为第一投影区域； 所述第二曝光区域在平行于所述第一掩模板平面的曝光平面上的正投影为第二投影区域； 当多个所述第二投影区域以相互邻接的方式沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布时，每2×2个第二投影区域形成一个子阵列单元，每个所述子阵列单元内的第二投影区域围绕形成一位于所述子阵列单元中间位置处的第三投影区域； 其中，所述第一投影区域覆盖所述第三投影区域。 4.根据权利要求3所述的拼接光掩模组，其特征在于， 相邻两排沿第一方向排布的第二投影区域中，其中一排的所述第二投影区域的沿第二方向延伸的侧边的长度小于另一排所述第二投影区域的沿第二方向延伸的侧边的长度，且相邻两排的所述第二投影区域的沿第一方向延伸的侧边的长度相同； 或者， 相邻两排沿第二方向排布的第二投影区域中，其中一排的所述第二投影区域的沿第一方向延伸的侧边的长度小于另一排所述第二投影区域的沿第一方向延伸的侧边的长度，且相邻两排的所述第二投影区域的沿第二方向延伸的侧边的长度相同。 5.根据权利要求3所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第一投影区域与所述第三投影区域的形状相似或相同。 6.根据权利要求3所述的拼接光掩模组，其特征在于， 当所述第一掩膜板和所述第二掩膜板与所述曝光平面的距离相同时，所述第一投影区域的面积大于或等于所述第三投影区域的面积。 7.根据权利要求2所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第二曝光区域的所述四条侧边中，相对的两条侧边平行。 8.根据权利要求3所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第一子部位于相邻两个所述第二投影区域之间的部分沿所述第一方向的长度，大于或等于所述第二投影区域沿所述第一方向的长度，和/或，所述第二子部位于相邻两个所述第二投影区域之间的部分沿所述第二方向的长度，大于或等于所述第二投影区域沿所述第二方向的长度。 9.根据权利要求3-5中任一项所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第一图样在平行于所述第一掩模板平面的曝光平面上的正投影为第一投影图样；所述第二图样在平行于所述第一掩模板平面的曝光平面上的正投影为第二投影图样； 当所述第一投影区域与所述第三投影区域重叠时，所述第一投影图样与所述第二投影图样至少部分连接。 10.根据权利要求9所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第一投影图样将多个所述第二投影图样的两两之间进行连接。 11.根据权利要求2所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第一图样呈对称或非对称分布。 12.根据权利要求2所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第一掩模板为多个，至少两个所述第一掩模板的第一曝光区域内的所述第一图样相同或不同。 13.根据权利要求2所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第二曝光区域包括核心区和外围区，所述外围区位于所述核心区的外围，并包裹所述核心区。 14.根据权利要求13所述的拼接光掩模组，其特征在于， 所述第一掩模板的部分第一曝光区域与所述第二掩模板的第二曝光区域的部分外围区对应。 15.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，以及位于所述基底的图案； 所述图案包括：利用第一掩模板制备的第一投影区域，其中，所述第一投影区域包括沿第一方向延伸的第一子部和沿第二方向延伸的第二子部，所述第一子部和所述第二子部部分区域重合，以形成交叉结构；所述第一投影区域还包括由第一图样形成的第一投影图样； 所述图案还包括：利用第二掩模板制备的第二投影区域，所述第二投影区域包括四条侧边围合形成的第三子部，以及所述第三子部外设置有与每条所述侧边邻接的第四子部；各所述第四子部沿着与其相邻的所述侧边的延伸方向上的长度小于与其相邻的所述侧边的长度；所述第二投影区域还包括由第二图样形成的第二投影图样。 16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于， 当多个所述第二投影区域以相互邻接的方式沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布时，每2×2个第二投影区域形成一个子阵列单元，每个所述子阵列单元内的第二投影区域围绕形成一位于所述子阵列单元中间位置处的第三投影区域； 所述第一投影区域覆盖所述第三投影区域。