光学防伪元件的制备方法和光学防伪元件

摘要：

本发明提供了一种光学防伪元件的制备方法和光学防伪元件。光学防伪元件的制备方法，包括：步骤S1：获取基材层；步骤S2：在基材层的一侧表面上设置模压成型层，模压成型层包括具有高度差的第一表面和第二表面，第二表面相对于第一表面凹向基材层设置，第二表面形成凹槽；步骤S3：在凹槽中填充水溶性材料；步骤S4：在模压成型层远离基材层的一侧沉积镀层；步骤S5：采用水洗方式去除凹槽中的水溶性材料及水溶性材料上的镀层；步骤S6：在镀层远离模压成型层的一侧印刷着色层。本发明解决了现有技术中的光学防伪元件存在实现困难的问题。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN202210637011.5

申请日期：2022-06-07

公开/公告号：CN117227350A

公开/公告日：2023-12-15

主分类号：B42D25/36(2014.01)

申请/专利权人:中钞特种防伪科技有限公司%中国印钞造币集团有限公司

发明/设计人:蹇钰;吴远启;沈为之;张宝利;孙凯

主申请人地址:100070 北京市丰台区科学城星火路6号;

专利代理机构:北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人:刘娜

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种光学防伪元件的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1：获取基材层(10)； 步骤S2：在所述基材层(10)的一侧表面上设置模压成型层(20)，所述模压成型层(20)包括具有高度差的第一表面(22)和第二表面(23)，所述第二表面(23)相对于所述第一表面(22)凹向所述基材层(10)设置，所述第二表面(23)形成凹槽(21)； 步骤S3：在所述凹槽(21)中填充水溶性材料(30)； 步骤S4：在所述模压成型层(20)远离所述基材层(10)的一侧沉积镀层(40)； 步骤S5：采用水洗方式去除所述凹槽(21)中的所述水溶性材料(30)及所述水溶性材料(30)上的镀层(40)； 步骤S6：在所述镀层(40)远离所述模压成型层(20)的一侧印刷着色层(60)。 2.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，所述光学防伪元件的制备方法还包括在所述步骤S5和所述步骤S6之间的步骤： 在所述镀层(40)远离所述模压成型层(20)的一侧设置透明间隔层(50)。 3.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中还包括填充水溶性材料(30)后的步骤：去除所述第一表面(22)上的所述水溶性材料(30)。 4.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述镀层(40)包括金属镀层和光变镀层中的一种。 5.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，设置所述第一表面(22)和/或所述第二表面(23)的宽度在小于4微米的范围。 6.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，设置所述第一表面(22)和所述第二表面(23)之间的高度差大于等于1微米。 7.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用紫外光固化模压的方式获得所述模压成型层(20)。 8.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，采用涂敷后刮除的方式实现所述步骤S3。 9.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中， 所述沉积镀层(40)采用热蒸发沉积方式、电子束蒸发沉积方式、磁控溅射沉积方法中的至少一种方式实现；和/或 调整所述镀层(40)厚度为10nm-800nm。 10.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述水洗方式可采用水洗干燥设备实现。 11.根据权利要求1所述的光学防伪元件的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在所述步骤S6后的步骤： 在所述基材层(10)的另一侧表面上形成采样合成层。 12.一种光学防伪元件，其特征在于，所述光学防伪元件采用权利要求1至11中任一项所述的光学防伪元件的制备方法制作而成。