Doherty功放装置以及功率放大系统
本申请提供了一种Doherty功放装置以及功率放大系统,该Doherty功放装置包括采用LGA封装技术得到的封装件,封装件包括MMIC芯片、第一阻抗匹配电路、至少一个第一晶体管以及至少一个第二晶体管,MMIC芯片为采用LDMOS工艺得到的,第一阻抗匹配电路为采用表面贴装技术制作得到的,第一晶体管以及第二晶体管为分别采用GaN工艺得到的。本申请较好地解决现有技术中无法在保证Doherty功放系统的性能的前提下,提高集成度以及降低成本的问题。
发明专利
CN202111605308.5
2021-12-24
CN116388699A
2023-07-04
H03F1/02(2006.01)
苏州华太电子技术股份有限公司
杨梦苏;林良
215000 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10号楼1楼
北京康信知识产权代理有限责任公司
张岳峰
江苏;32
1.一种Doherty功放装置,其特征在于,包括: 封装件,所述封装件为采用LGA封装技术得到的,所述封装件包括MMIC芯片、第一阻抗匹配电路、至少一个第一晶体管以及至少一个第二晶体管,所述MMIC芯片为采用LDMOS工艺得到的,所述第一阻抗匹配电路为采用表面贴装技术制作得到的,所述第一晶体管以及所述第二晶体管为分别采用GaN工艺得到的,其中,所述第一阻抗匹配电路包括至少一个第一子匹配电路以及至少一个第二子匹配电路,所述第一子匹配电路与所述MMIC芯片的输出端电连接,且所述第一子匹配电路与所述第一晶体管一一对应电连接,所述第二子匹配电路与所述MMIC芯片的输出端电连接,且所述第二子匹配电路与所述第二晶体管一一对应电连接,所述MMIC芯片包括第一功率分配器以及推动电路,所述第一功率分配器用于接收输入信号,将所述输入信号分成多路信号后从各输出端输出,所述推动电路包括至少一个第一子推动电路以及至少一个第二子推动电路,所述第一子推动电路的输入端以及所述第二子推动电路的输入端分别与所述第一功率分配器的输出端一一对应电连接,所述第一子推动电路的输出端与所述第一子匹配电路一一对应电连接,所述第二子推动电路的输出端与所述第二子匹配电路一一对应电连接。 2.根据权利要求1所述的Doherty功放装置,其特征在于,所述第一子推动电路以及所述第二子推动电路分别包括: 输入匹配电路,所述输入匹配电路的输入端与所述第一功率分配器的输出端电连接; 第三晶体管,所述第三晶体管的输入端与所述输入匹配电路的输出端电连接,所述第三晶体管的输出端与所述第一子匹配电路或者所述第二子匹配电路电连接。 3.根据权利要求1所述的Doherty功放装置,其特征在于,所述封装件还包括: 第二功率分配器,所述第二功率分配器的输入端分别与所述第一晶体管以及所述第二晶体管电连接,所述第二功率分配器用于将所述第一晶体管以及所述第二晶体管发出的信号组合后输出; 第二阻抗匹配电路,与所述第二功率分配器的输出端电连接。 4.根据权利要求3所述的Doherty功放装置,其特征在于,所述第二功率分配器以及所述第二阻抗匹配电路为采用表面贴装技术和/或微带线技术制作得到的。 5.一种功率放大系统,其特征在于,包括: 权利要求1至4中任一项所述的Doherty功放装置。 6.根据权利要求5所述的功率放大系统,其特征在于,所述功率放大系统还包括: 偏置馈电网络,与所述Doherty功放装置电连接,所述偏置馈电网络用于给所述Doherty功放装置提供偏置电压。 7.根据权利要求6所述的功率放大系统,其特征在于,所述偏置馈电网络包括多个电压源以及多个滤波电容,所述电压源通过所述滤波电容与所述Doherty功放装置电连接。