一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元

摘要：

本发明涉及一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，该簇超胞元有A‑H共8种。其中每种超胞元均包括基体(1)，以及按照拟周期性排列布置在所述基体(1)上的散射体振子(2)；通过这些超胞元之间相互组合，能够形成具有线缺陷特性的周期复合结构。周期复合结构本身具有带隙特性，特定频率范围内的振动无法通过结构传播。而缺陷结构的引入改变了周期复合结构原有的能带结构，这样缺陷态对应频率的弹性波就只能沿着线缺陷传播。因此具有线缺陷特性的周期复合结构为利用人工结构控制弹性波提供了有效途径，对工程隔振，波导，声波过滤器等领域具有重要价值。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN202020867676.1

申请日期：2020-05-21

公开/公告号：CN212380102U

公开/公告日：2021-01-19

主分类号：G10K11/00(2006.01)

申请/专利权人:东南大学

发明/设计人:万水;周鹏;王潇;符俊冬;年玉泽;李夏元;程红光

主申请人地址:211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

专利代理机构:南京苏高专利商标事务所(普通合伙)

代理人:柏尚春

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

1.一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，该簇超胞元有A、B、C、D、E、F、G、H共8种，其中的每一种超胞元均包括基体(1)，以及按照拟周期性排列凸起或者嵌入布置在所述基体(1)上的普通散射体振子(2-1)。 2.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述基体(1)上还设有缺陷散射体振子(2-2)。 3.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述普通散射体振子(2-1)形状是圆柱体、长方体或者正多边体。 4.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述普通散射体振子(2-1)是单组元或者二组元，在基体(1)上布置方式是嵌入型、单侧凸起型或者双侧凸起型。 5.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述普通散射体振子(2-1)的形状、组元数量、布置方式、大小和材料均相同。 6.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述普通散射体振子(2-1)为二组元，在基体(1)上按照凸起型布置时，内层振子和外层振子的半径或者边长相等，高度相等或不等。 7.根据权利要求2所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述缺陷散射体振子(2-2)存在时，缺陷散射体振子(2-2)与普通散射体振子(2-1)的形状、组元数量、布置方式、大小和材料中的某一项或者某几项不相同。 8.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述基体(1)与普通散射体振子(2-1)、缺陷散射体振子(2-2)之间或者普通散射体振子(2-1)以及缺陷散射体振子(2-2)为二组元时，振子内层与振子外层之间采用粘贴或者焊接的连接方式。