一种优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法
本发明提供一种优化OPC中曝光辅助图形的方法，主要包括：生成光阻模型，在待优化的曝光图形中增加曝光辅助图形，并对比增加前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸；若满足条件，则对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值，若满足条件，则输出曝光辅助图形的设置规则。通过对比增加曝光辅助图形前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸可以筛选出对曝光图形曝光有益的曝光辅助图形的设置规则；对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值可以确保曝光辅助图形不会成像。通过简单的计算就可以将符合要求的曝光辅助图形规则提取出来，解决了现有技术中曝光辅助图形规则不易提取且计算量大的问题。
发明专利
CN202010802375.5
2020-08-11
CN111812940A
2020-10-23
G03F1/36(2012.01)
上海华力微电子有限公司
付欣欣;于世瑞
201315 上海市浦东新区良腾路6号
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
曹廷廷
上海;31
1.一种优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，包括： 步骤一，根据光刻条件建立光学邻近效应修正的光学模型，利用所述光学模型和锚点图形获取所述待优化的曝光图形的成像阈值T，并生成光阻模型； 步骤二，对所述光阻模型进行仿真，计算得到所述待优化的曝光图形的中心光强极值I0、对比度C0和曝光关键尺寸CD0； 步骤三，在所述待优化的曝光图形中增加曝光辅助图形，对加入曝光辅助图形后的所述光阻模型再次进行仿真，计算得到加入曝光辅助图形后所述待优化的曝光图形的中心光强极值I1、对比度C1和曝光关键尺寸CD1； 步骤四，对增加曝光辅助图形前后的所述待优化的曝光图形的所述中心光强极值、所述对比度和所述曝光关键尺寸进行对比，判断是否满足I1＞10且C1＞C0且CD1＞CD0，若是，则改变所述光阻模型的成像面的位置，计算所述曝光辅助图形的中心光强极值IS1；若否，则改变所述曝光辅助图形的设置规则，并重复步骤三至步骤四； 步骤五，对所述曝光辅助图形的中心光强极值IS1和所述待优化的曝光图形的成像阈值T进行对比，判断是否满足IS1＜T，若是，则输出所述曝光辅助图形的设置规则；若否，则改变所述曝光辅助图形的设置规则，并重复步骤三至步骤五。 2.根据权利要求1所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，所述光刻条件包括曝光光源参数、光阻膜层厚度和镜头的数值孔径。 3.根据权利要求2所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，所述曝光光源参数包括光源波长和光源极化方向。 4.根据权利要求1所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，所述成像阈值T根据所述待优化的曝光图形的光强分布和曝光尺寸获得。 5.根据权利要求1所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，所述对比度的计算方法为：对比度＝(光强的最大值-光强的最小值)/(光强的最大值+光强的最小值)。 6.根据权利要求1所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，在所述步骤三之前，所述光学邻近效应修正中曝光辅助图形的建立方法还包括：生成不同设置规则的所述曝光辅助图形。 7.根据权利要求1所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，所述曝光辅助图形的设置规则包括：所述曝光辅助图形的宽度、所述曝光辅助图形距所述待优化的曝光图形的距离和所述曝光辅助图形之间的距离。 8.根据权利要求1所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，所述改变所述光学模型的成像面的方法包括：改变所述成像面的位置至预设位置，并调整仿真曝光计量为原始曝光计量的预设倍数。 9.根据权利要求8所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，所述预设位置为所述待优化的曝光图形的表面。 10.根据权利要求8所述的优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法，其特征在于，所述预设倍数为1.08～1.2倍。